[发明专利]发光二极管外延片的生长方法有效
| 申请号： | 202011061544.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112186080B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片的生长方法，所述生长方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长N型层、有源层和P型层；
其特征在于，在所述衬底上生长N型层包括：
在所述衬底上生长多个周期交替生长的第一N型层和第二N型层，
其中，在高温低温交替的条件下，以第一转速生长所述第一N型层，在低温条件下，以第二转速生长所述第二N型层；
所述第一转速大于所述第二转速，所述第一N型层中Si的掺杂浓度大于所述第二N型层中Si的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，在高温低温交替的条件下，生长所述第一N型层，包括：
在高温低温交替的条件下，生长多层第一N型子层，所述高温为1120～1150℃，所述低温为1080～1120℃。
3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述第一N型子层的厚度为20～50nm。
4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一转速为1200～1500rpm。
5.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第二转速为200～500rpm。
6.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第二N型层中Si的掺杂浓度是所述第一N型层中Si的掺杂浓度的0.05～0.1倍。
7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，所述第一N型层中Si的掺杂浓度为8*1018～2*1019cm-3。
8.根据权利要求1至7任一项所述的生长方法，其特征在于，在所述衬底上生长多个周期交替生长的第一N型层和第二N型层，包括：
在所述衬底上生长m个周期交替生长的第一N型层和第二N型层，2≤m≤6，所述第一N型层的厚度为150～350nm，所述第二N型层的厚度为20～50nm。
9.根据权利要求1至7任一项所述的生长方法，其特征在于，在所述衬底上生长多个周期交替生长的第一N型层和第二N型层，包括：
在氢气、氮气和氨气的混合气氛下，生长所述第一N型层；
减少所述氢气、所述氮气和所述氨气的通入量，生长所述第二N型层。
10.根据权利要求9所述的生长方法，其特征在于，生长所述第一N型层时，所述氢气、所述氮气和所述氨气的通入量的和为生长所述第二N型层时，所述氢气、所述氮气和所述氨气的通入量的和的1.2～1.5倍。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011061544.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种自换气型水浴恒温振荡器
- 下一篇：滤波器封装结构、多工器和通信设备
