[发明专利]滤波器封装结构、多工器和通信设备

权利要求书

1.一种滤波器封装结构，其特征在于，所述滤波器包括体声波滤波器、第一匹配电路和第二匹配电路，第一匹配电路和第二匹配电路分别包括至少一个兰姆波谐振器，所述封装结构包括三组晶圆叠加结构；

每组晶圆叠加结构各自包括上晶圆和下晶圆，上晶圆和下晶圆之间通过对接管脚连接，下晶圆的第一侧朝向上晶圆，第二侧用于连接封装基板；

体声波滤波器的串联谐振器和并联谐振器设于第一组晶圆叠加结构中上晶圆朝向下晶圆的相对面；

第一匹配电路的兰姆波谐振器设于第二组晶圆叠加结构中上晶圆朝向下晶圆的相对面；

第二匹配电路的兰姆波谐振器设于第三组晶圆叠加结构中上晶圆朝向下晶圆的相对面；

所述兰姆波谐振器的有效机电耦合系数是所述体声波滤波器的有效机电耦合系数的2.2倍以上，所述兰姆波谐振器的串联谐振频点和并联谐振频点分别位于体声波滤波器通带的两侧，所述兰姆波谐振器的Q值大于指定值。

2.根据权利要求1所述的滤波器封装结构，其特征在于，所述三组晶圆叠加结构各自的所述下晶圆包括贯通的过孔，所述三组晶圆叠加结构各自的所述对接管脚自下晶圆第一侧起通过过孔与下晶圆第二侧的焊盘的第一侧连接，三组晶圆叠加结构通过焊盘的第二侧连接同一块封装基板。

3.根据权利要求1或2所述的滤波器封装结构，其特征在于，第一组晶圆叠加结构和第二组晶圆叠加结构的上晶圆的材质为铌酸锂，所述第一组晶圆叠加结构和第二组晶圆叠加结构中各自的所述上晶圆的朝向下晶圆的相对面设有叉指型电极。

4.根据权利要求3所述的滤波器封装结构，其特征在于，所述第一组晶圆叠加结构和第二组晶圆叠加结构中各自的上晶圆的叉指型电极是通过刻蚀成型。

5.根据权利要求1或2所述的滤波器封装结构，其特征在于，第一匹配电路和第二匹配电路分别包括多个兰姆波谐振器，多个兰姆波谐振器串联或并联。

6.一种滤波器封装结构，其特征在于，所述滤波器包括体声波滤波器、第一匹配电路和第二匹配电路，第一匹配电路和第二匹配电路分别包括至少一个兰姆波谐振器，所述封装结构包括上晶圆和下晶圆，上晶圆和下晶圆之间通过对接管脚连接，下晶圆的第一侧朝向上晶圆设置，第二侧用于连接封装基板，

体声波滤波器的串联谐振器和并联谐振器设于上晶圆朝向下晶圆的对接面，第一匹配电路的兰姆波谐振器和第二匹配电路的兰姆波谐振器设置在下晶圆朝向上晶圆的对接面，

或者，

体声波滤波器的串联谐振器和并联谐振器设于下晶圆朝向上晶圆的对接面，第一匹配电路的兰姆波谐振器和第二匹配电路的兰姆波谐振器设置在上晶圆朝向下晶圆的对接面；

所述兰姆波谐振器的有效机电耦合系数是所述体声波滤波器的有效机电耦合系数的2.2倍以上，所述兰姆波谐振器的串联谐振频点和并联谐振频点分别位于体声波滤波器通带的两侧，所述兰姆波谐振器的Q值大于指定值。

7.根据权利要求6所述的滤波器封装结构，其特征在于，下晶圆包括贯通的过孔，对接管脚自下晶圆第一侧起通过过孔与下晶圆第二侧的焊盘的第一侧连接，焊盘的第二侧连接封装基板。

8.根据权利要求6或7所述的滤波器封装结构，其特征在于，兰姆波谐振器的压电层材质为铌酸锂，所述压电层上设有叉指型电极。

9.根据权利要求8所述的滤波器封装结构，其特征在于，所述压电层上的叉指型电极是通过刻蚀成型。

10.根据权利要求6或7所述的滤波器封装结构，其特征在于，第一匹配电路和第二匹配电路分别包括多个兰姆波谐振器，多个兰姆波谐振器串联或并联。

11.一种双工器，其特征在于，包括如权利要求1至5中任一项所述的滤波器封装结构或者包括如权利要求6至10中任一项所述的滤波器封装结构。

12.一种通信设备，其特征在于，包括如权利要求1至5中任一项所述的滤波器封装结构或者包括如权利要求6至10中任一项所述的滤波器封装结构。