[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底上形成有选择开关晶体管；

第一介质层，所述第一介质层位于所述基底的上表面，且所述第一介质层覆盖所述选择开关晶体管；

电容，所述电容沿所述第一介质层厚度方向贯穿所述第一介质层，并延伸至所述第一介质层的上表面，且与所述选择开关晶体管的漏极电连接；

第二介质层，位于所述第一介质层上表面，覆盖所述第一介质层及所述电容；

第一金属层，位于所述第二介质层的上表面，且所述第一金属层包括板线和导电金属层，所述板线与所述电容电连接，所述导电金属层与所述选择开关晶体管的源极电连接；

第一导电插塞，位于所述导电金属层的上表面并与所述导电金属层电连接；

第三介质层，位于所述第二介质层的上表面，且覆盖所述第一金属层；

第二金属层，包括位线，所述位线位于所述第三介质层的上表面，且与所述板线金属层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的厚度为3000埃～6000埃。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层内形成有电容沟槽，所述电容沟槽沿所述第一介质层的厚度方向贯穿所述第一介质层；

所述电容包括：下电极层、电容介质层及上电极层；

所述下电极层覆盖所述电容沟槽外侧的部分所述第一介质层的上表面、所述电容沟槽的侧壁及底部，且所述下电极层与所述选择开关晶体管的漏极直接接触；

所述电容介质层覆盖所述下电极层的上表面；

所述上电极层覆盖所述电容介质层的上表面。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述电容介质层包括掺锆氧化铪层，所述电容介质层中锆、铪及氧的摩尔比为0.3:0.3:1～0.7:0.7:2.5。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，选择开关晶体管的栅极包括叠层结构及侧墙；所述叠层结构包括右下至上依次叠置的栅极氧化层及栅极导电层；所述侧墙覆盖所述叠层结构的侧面。

6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，并于所述基底上形成选择开关晶体管；

于所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述选择开关晶体管；

于所述第一介质层内形成电容，所述电容沿所述第一介质层厚度方向贯穿所述第一介质层，并延伸至所述第一介质层的上表面，且与所述选择开关晶体管的漏极电连接；

于所述第一介质层的上表面形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层及所述电容；

于所述第二介质层的上表面形成第一金属层，且所述第一金属层包括板线和导电金属层，所述板线与所述电容电连接，所述导电金属层与所述选择开关晶体管的源极电连接；

于所述第二介质层的上表面形成第三介质层，所述第三介质层覆盖所述第一金属层；

于所述第三介质层的上表面形成第二金属层，所述第二金属层包括位线，所述位线与所述导电金属层电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为3000埃～6000埃。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述第一介质层内形成电容，包括：

于所述第一介质层内形成电容沟槽，所述电容沟槽沿所述第一介质层的厚度方向贯穿所述第一介质层，所述电容沟槽暴露所述选择开关晶体管的漏极；

于所述电容沟槽外侧的部分所述第一介质层的上表面、所述电容沟槽的侧壁及底部形成下电极层；

于所述下电极层的上表面形成电容介质层；

于所述电容介质层的上表面形成上电极层，所述下电极层、所述电容介质层及所述上电极层共同形成电容。

9.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述电容介质层包括掺锆氧化铪层，所述电容介质层中锆、铪及氧的摩尔比为0.3:0.3:1～0.7:0.7:2.5。

10.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，选择开关晶体管的栅极包括叠层结构及侧墙；所述叠层结构包括右下至上依次叠置的栅极氧化层及栅极导电层；所述侧墙覆盖所述叠层结构的侧面。