[发明专利]一种动态增强FLASH擦写次数的方法及系统

说明书

本发明公开了一种动态增强FLASH擦写次数的方法及系统，涉及智能卡领域，该方法包括写FLASH数据和读FLASH数据操作，所述写FLASH数据操作包括：获取待写数据及待写数据的目标地址；按照页对齐方式将待写数据的目标地址分成多个待写地址，待写数据分成多个待写数据块，且目标地址的待写地址和待写数据的待写数据块之间相对应；依次判断每个待写地址是否为坏页，若是，则获取当前待写地址对应的新页，并将当前待写地址对应的待写数据块写入该新页的地址中；若否，则在当前待写地址中写入对应的待写数据块；本发明能够有效提升FLASH的使用效率。

技术领域

本发明涉及智能卡领域，具体涉及一种动态增强FLASH擦写次数的方法及系统。

背景技术

在智能卡的设计开发中，常用智能卡芯片FLASH(闪存)寿命只有10W次，但在实际的应用过程中，有一些应用要求卡片的擦写次数远大于10W次，甚至需要达到上百万次才能满足实际使用需求。目前常用的做法包括两种，一种是针对特定应用预先申请多个页面，写操作在这些页面中轮询使用，以这种方式提高应用的擦写次数，但是，最高擦写次数基于预先申请的页面个数，并且在最开始就必须明确知道有哪些应用的数据擦写次数需要增强处理，没有进行增强处理的应用实际擦写次数还是只能依靠FLASH寿命，且智能卡中目前常用的JAVA(面向对象的编程语言)卡能够下载多个应用，这些应用可以在使用的过程中下载，因此这些后下载应用的使用次数就只能依靠芯片的FLASH寿命，无法做到增强处理；另一种是针对整个芯片的所有FLASH区域进行轮换处理，这样做虽然可以提高所有应用的所有数据的擦写次数，但是这种方案需要预留较多FLASH空白区域用于轮换处理，需要较多的FLASH空间才能满足要求。

发明内容

针对现有技术中存在的缺陷，本发明的目的在于提供一种动态增强FLASH擦写次数的方法及系统，能够有效提升FLASH的使用效率。

为达到以上目的，本发明提供一种动态增强FLASH擦写次数的方法，用于实现智能卡中应用的写FLASH数据和读FLASH数据操作，

所述写FLASH数据操作包括：

获取待写数据及待写数据的目标地址；

按照页对齐方式将待写数据的目标地址分成多个待写地址，待写数据分成多个待写数据块，且目标地址的待写地址和待写数据的待写数据块之间相对应；

依次判断每个待写地址是否为坏页，若是，则获取当前待写地址对应的新页，并将当前待写地址对应的待写数据块写入该新页的地址中；若否，则在当前待写地址中写入对应的待写数据块；

所述读FLASH数据操作包括：

获取待读数据的目标地址；

按照页对齐方式将待读数据的目标地址分成多个待读地址；

依次判断每个待读地址是否为坏页，若是，则获取该待读地址对应的新页，并从该新页的地址中读取出数据，若否，则从当前待读地址中读取出数据，所述坏页均对应有新页。

在上述技术方案的基础上，

所述待写数据的目标地址的多个待写地址中，除第1个待写地址和最后1个待写地址外，其它待写地址的长度均为一个单位页的长度；

所述待读数据的多个待读地址中，除第1个待读地址和最后1个待读地址外，其它待读地址的长度均为一个单位页的长度。

在上述技术方案的基础上，

对于第1个待写地址的长度，计算公式为：

LEN₁＝PAGESIZE-(ADDR(～PAGESIZE))