[发明专利]SPAD的淬灭在审

专利信息
申请号: 202011063753.9 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112702546A 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: R·A·比安基;M·M·维格内蒂;B·雷 申请(专利权)人: 意法半导体(RD)有限公司;意法半导体(克洛尔2)公司
主分类号: H04N5/378 分类号: H04N5/378;H04N5/369
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
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【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

光电二极管,具有第一端子和第二端子;

电阻器,被耦合在所述光电二极管的所述第一端子与第一轨之间,所述第一轨被配置为接收高供电电位;

开关,被耦合在所述光电二极管的所述第二端子与第二轨之间,所述第二轨被配置为接收基准电位;

读取电路,被配置为:当所述光电二极管进入雪崩时,提供脉冲;以及

控制电路,被配置为:响应于所述脉冲的开始,控制所述开关的断开,并且响应于所述脉冲的结束,控制所述开关的闭合。

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述开关是MOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的装置,其中所述控制电路包括逻辑门,所述逻辑门具有输入和输出,所述输入被配置为接收所述脉冲,所述输出被配置为向所述开关提供控制信号。

4.根据权利要求3所述的装置,其中所述控制电路还被配置为:在所述控制信号的导致所述开关闭合的切换期间,根据斜率调节电位的值来控制所述控制信号的斜率。

5.根据权利要求4所述的装置,其中所述控制电路包括MOS晶体管,所述MOS晶体管被连接在所述控制电路的供电端子和所述控制电路的所述逻辑门的第一供电端子之间,所述MOS晶体管的栅极被配置为接收所述斜率调节电位。

6.根据权利要求3所述的装置,被配置为:只要用于将所述装置去激活的去激活信号处于第一状态,就中断导电路径,所述导电路径将所述光电二极管的所述第二端子经由所述开关耦合到所述第二轨。

7.根据权利要求6所述的装置,还包括:

附加开关,在所述二极管的所述第二端子和所述第二轨之间与所述开关串联连接,所述附加开关被配置为:响应于所述去激活信号,将所述装置去激活。

8.根据权利要求6所述的装置,其中所述控制电路的所述逻辑门包括被配置为接收用于将所述装置去激活的所述去激活信号的输入。

9.根据权利要求3所述的装置,其中所述控制电路还被配置为:只要用于将所述控制电路去激活的去激活信号处于第一状态,就保持所述开关闭合,所述控制电路的所述逻辑门包括被配置为接收用于将所述控制电路去激活的所述去激活信号的输入。

10.根据权利要求3所述的装置,其中所述控制电路包括MOS晶体管,所述MOS晶体管被连接在所述控制电路的所述逻辑门的供电端子与所述第二轨之间,所述MOS晶体管的栅极被配置为:接收用于将所述控制电路去激活的去激活信号。

11.根据权利要求1所述的装置,还包括电容性电桥分压器,所述电容性电桥分压器被连接在所述光电二极管的所述第一端子与所述第二轨之间,所述读取电路的输入端子被连接到所述电容性分压器电桥的中间节点。

12.根据权利要求11所述的装置,其中所述读取电路还被配置为:根据脉冲持续时间调节电位的值,修改所述脉冲的持续时间。

13.根据权利要求12所述的装置,其中所述读取电路包括MOS晶体管,所述MOS晶体管被连接在所述读取电路的供电端子与所述中间节点之间,所述MOS晶体管的栅极被配置为接收所述脉冲持续时间调节电位。

14.根据权利要求11所述的装置,其中所述读取电路包括逻辑门,所述逻辑门具有被耦合到所述中间节点的输入端子,以及被配置为提供所述脉冲的输出端子。

15.根据权利要求1所述的装置,其中所述读取电路和所述控制电路分别被连接在所述第二轨与第三轨之间,所述第三轨被配置为接收低供电电位。

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