[发明专利]黑矩阵结构及其制造方法、显示基板、显示装置

权利要求书

1.一种黑矩阵结构，其特征在于，包括：交叉的多个黑矩阵条；

所述黑矩阵条的侧面的粗糙度小于2微米，所述黑矩阵条的侧面与参考平面相交，所述参考平面与所述多个黑矩阵条交叉限定的平面平行。

2.根据权利要求1所述的黑矩阵结构，其特征在于，

所述黑矩阵条为遮光条和保护介质条叠加形成的叠层结构，所述保护介质条在所述参考平面上的正投影位于所述遮光条在所述参考平面上的正投影内。

3.根据权利要求2所述的黑矩阵结构，其特征在于，

所述保护介质条的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

4.根据权利要求1至3任一项所述的黑矩阵结构，其特征在于，

所述黑矩阵条的坡度角的范围为70度～80度。

5.根据权利要求4所述的黑矩阵结构，其特征在于，

所述黑矩阵条的第一截面的形状为倒角等腰梯形，所述倒角等腰梯形的顶角为圆弧形倒角，所述倒角等腰梯形的顶角为所述倒角等腰梯形的上底与所述倒角等腰梯形的腰之间的夹角，所述第一截面与所述黑矩阵条的宽度方向平行且与所述黑矩阵条的长度方向垂直。

6.根据权利要求5所述的黑矩阵结构，其特征在于，

所述倒角等腰梯形的顶角的范围为120度～130度。

7.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的如权利要求1至6任一项所述的黑矩阵结构；

位于所述衬底基板上的彩色滤光层，所述彩色滤光层的滤光结构位于所述黑矩阵结构的开口区域中；以及，

位于所述彩色滤光层远离所述衬底基板的一侧的保护层。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，

所述黑矩阵条为遮光条和保护介质条叠加形成的叠层结构，所述保护介质条在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光条在所述衬底基板上的正投影内，所述遮光条位于所述保护介质条与所述衬底基板之间。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7或8所述的显示基板。

10.一种如权利要求1至6任一项所述的黑矩阵结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成初始黑矩阵结构，所述初始黑矩阵结构包括交叉的多个初始黑矩阵条，所述初始黑矩阵条包括黑矩阵本体和从所述黑矩阵本体的侧面沿远离所述黑矩阵本体的方向凸出的毛刺结构；

使所述初始黑矩阵结构中的所述初始黑矩阵条的所述毛刺结构的至少部分去除，得到最终的所述黑矩阵结构。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，

使所述初始黑矩阵结构中的所述初始黑矩阵条的所述毛刺结构的至少部分去除，得到最终的所述黑矩阵结构，包括：

在所述初始黑矩阵结构远离所述衬底基板的一侧形成保护介质层并在所述保护介质层远离所述初始黑矩阵结构的一侧制作掩膜对所述多个初始黑矩阵条的所述毛刺结构进行刻蚀，使所述毛刺结构的至少部分去除得到多个遮光条。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，

所述多个初始黑矩阵条交叉限定出至少一个第一开口，所述掩膜包括至少一个第二开口，所述第二开口与所述第一开口一一对应，所述第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸，每个所述第二开口的边界与相应的所述第一开口的边界的距离的范围为0.5微米～2微米。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，

采用干法刻蚀工艺对所述多个初始黑矩阵条的所述毛刺结构进行刻蚀。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，

以氟化硫气体和氧气的混合气体为刻蚀气体，对所述多个初始黑矩阵条的所述毛刺结构进行刻蚀。