[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 202011064254.1 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112701135A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 申旼澈 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 赵嫦;康泉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.一种显示装置，包括：
设置在第一基板上的晶体管；
设置在所述晶体管上的绝缘层；
设置在所述绝缘层上的第一电极；
设置在所述第一电极和所述绝缘层上的隔离物，其中通过所述隔离物限定开口；
设置在所述开口中的发光元件层；以及
设置在所述发光元件层和所述隔离物上的第二电极，
其中所述绝缘层包括彼此具有不同的高度的第一区域和第三区域以及具有连接所述第一区域和所述第三区域的倾斜表面的第二区域，
所述第一区域具有比所述第三区域低的高度，并且
所述第一电极在垂直于所述第一基板的方向上与所述第一区域重叠。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中：
所述隔离物包括包含硅的无机材料。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中：
所述隔离物进一步包括碳。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中：
所述隔离物包括选自SiOx、SiNx、SiOxNy和硅氧烷中的至少一种材料。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中：
所述隔离物的厚度在至的范围内。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中：
所述隔离物和所述发光元件层之间的折射率差小于所述隔离物的折射率的50％。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中：
所述隔离物具有与所述第二区域重叠的倾斜表面。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中：
所述第二区域中的所述第一电极设置在所述绝缘层和所述隔离物之间。
9.一种显示装置，包括：
设置在基板上的晶体管；
设置在所述晶体管上的绝缘层；
设置在所述绝缘层上的第一电极；
设置在所述绝缘层和所述第一电极之间的反射构件；
设置在所述第一电极和所述绝缘层上的隔离物，其中通过所述隔离物限定开口；
设置在所述开口中的发光元件层；以及
设置在所述发光元件层和所述隔离物上的第二电极，
其中邻近于所述开口的所述反射构件的侧表面包括倾斜表面。
10.一种显示装置，包括：
设置在基板上的晶体管；
设置在所述晶体管上的绝缘层；
设置在所述绝缘层上的第一电极；
设置在所述第一电极上的反射构件；
设置在所述第一电极、所述反射构件和所述绝缘层上的隔离物，其中通过所述隔离物限定开口；
设置在所述开口中的发光元件层；以及
设置在所述发光元件层和所述隔离物上的第二电极，
其中邻近于所述开口的所述反射构件的侧表面包括倾斜表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
