[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011064627.5 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112201622A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 张文杰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L23/00;H01L23/552;H01L23/60;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有器件结构；
在所述器件结构外围对所述介质层进行部分厚度的刻蚀，得到第一沟槽；
在所述第一沟槽底部进行刻蚀，得到贯穿所述介质层的第二沟槽；所述第一沟槽和所述第二沟槽构成密封沟槽；所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述器件结构为对介质层进行部分厚度的刻蚀，得到第一沟槽，包括：
在所述介质层上形成第一掩模层，所述第一掩模层具有第一图形；
以所述第一掩模层为掩蔽，通过所述第一图形在所述器件结构外围对所述介质层进行部分厚度的刻蚀，得到第一沟槽；
去除所述第一掩模层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一掩模层上还具有栅极线自对准图形，则在所述器件结构外围对所述介质层刻蚀形成第一沟槽的同时，所述方法还包括：
通过所述栅极线自对准图形在所述器件结构外围对所述介质层进行刻蚀，得到栅极线自对准标识。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度和所述第二沟槽的宽度的差值范围为100-150nm。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽的深度范围为250-300nm。
6.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述密封沟槽中填充导体材料，形成所述密封沟槽中的密封环。
7.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽底部进行刻蚀，得到贯穿所述介质层的第二沟槽，包括：
在所述介质层上形成第二掩模层，所述第二掩模层具有第二图形；
以所述第二掩模层为掩蔽，在所述第一沟槽底部进行刻蚀，得到贯穿所述介质层的第二沟槽；
去除所述第二掩模层。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；所述衬底上形成介质层，所述介质层中形成有器件结构；
所述器件结构外围的密封沟槽；所述密封沟槽包括贯穿所述介质层的第二沟槽，以及所述第二沟槽上部周围的部分厚度的介质层中形成的第一沟槽，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽。
9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述第一沟槽的宽度和所述第二沟槽的宽度的差值范围为100-150nm。
10.根据权利要求8或9所述的器件，其特征在于，所述第一沟槽的深度范围为250-300nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
