[发明专利]一种光刻装置有效
申请号: | 202011064745.6 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112130425B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 伍强;李艳丽;顾峥 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;尹一凡 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光刻 装置 | ||
1.一种光刻装置,其特征在于,包括:对应分设于测量工位和曝光工位下方的第一工件台和第二工件台,所述第一工件台和所述第二工件台共设于一旋转平台的两端上,所述旋转平台下方设有磁悬浮平面电机,通过所述磁悬浮平面电机使所述旋转平台作水平旋转,实现所述第一工件台和所述第二工件台在所述测量工位和所述曝光工位之间的位置交换;其中,所述磁悬浮平面电机包括设于所述旋转平台底面中部上用于使所述旋转平台旋转的第一磁悬浮平面电机,以及分设于所述旋转平台底面两端上用于使所述旋转平台平移的第二磁悬浮平面电机。
2.根据权利要求1所述的光刻装置,其特征在于,所述第一磁悬浮平面电机包括设于所述旋转平台下方的第一永磁平面电机定子和对应设于所述旋转平台底面上的第一平面电机线圈,所述第一永磁平面电机定子设有一圈呈旋转对称的环形第一哈尔巴赫永磁体阵列,所述第一平面电机线圈均匀设有用于使所述旋转平台在悬浮状态下旋转的至少3组线圈。
3.根据权利要求2所述的光刻装置,其特征在于,所述线圈的长轴向与所述环形的径向一致。
4.根据权利要求2所述的光刻装置,其特征在于,每组所述线圈为并列设置的3个,每组所述线圈的线圈周期等于所述第一哈尔巴赫永磁体阵列中永磁体周期的三分之二,即每组所述线圈按三相四极形式排布。
5.根据权利要求2所述的光刻装置,其特征在于,所述第一平面电机线圈还均匀设有用于调整所述旋转平台中心位置的至少4组r线圈( 29) 。
6.根据权利要求5所述的光刻装置,其特征在于,所述r线圈( 29) 的长轴向与所述环形的周向一致。
7.根据权利要求5所述的光刻装置,其特征在于,每组所述r线圈( 29) 为并列设置的3个,每组所述r线圈( 29) 的线圈周期等于所述第一哈尔巴赫永磁体阵列中永磁体周期的三分之二,即每组所述r线圈( 29) 按三相四极形式排布。
8.根据权利要求2所述的光刻装置,其特征在于,所述第二磁悬浮平面电机包括设于所述旋转平台下方的第二永磁平面电机定子( 31) 和对应设于所述旋转平台底面上的第二平面电机线圈( 34) ,所述第二永磁平面电机定子( 31) 均匀设有第二哈尔巴赫永磁体阵列( 31) ,所述第二平面电机线圈( 34) 设有用于使所述旋转平台沿第一方向平移的至少2组X线圈( 32) ,以及用于使所述旋转平台沿与所述第一方向正交的第二方向平移的至少2组Y线圈( 33) 。
9.根据权利要求8所述的光刻装置,其特征在于,所述X线圈( 32) 的长轴向与所述第一方向正交,所述Y线圈( 33) 的长轴向与所述第二方向正交。
10.根据权利要求8所述的光刻装置,其特征在于,每组所述X线圈( 32) 和每组所述Y线圈( 33) 分别为并列设置的3个,每组所述X线圈( 32) 和每组所述Y线圈( 33) 的线圈周期分别等于所述第二哈尔巴赫永磁体阵列( 31) 中永磁体周期的三分之二,即每组所述X线圈( 32) 和每组所述Y线圈( 33) 分别按三相四极形式排布。
11.根据权利要求8所述的光刻装置,其特征在于,所述第一永磁平面电机定子和所述第二永磁平面电机定子( 31) 还作为平衡质量体。
12.根据权利要求1所述的光刻装置,其特征在于,所述第一工件台和所述第二工件台各自通过一套水平双频干涉仪进行位置测控。
13.根据权利要求12所述的光刻装置,其特征在于,所述水平双频干涉仪至少为6轴水平双频干涉仪。
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