[发明专利]一种PBn型InAsSb红外探测器材料

权利要求书

1.一种PBn型InAsSb红外探测器材料，其特征在于：所述红外探测器材料的结构从上向下依次为顶电极接触层(1)、势垒层(2)、吸收层(3)、底电极接触层(4)、缓冲层(5)以及衬底(6)；

其中，所述顶电极接触层(1)的厚度为100nm～300nm；

所述势垒层(2)的厚度为100nm～200nm；

所述吸收层(3)的厚度为2000nm～3000nm；

所述底电极接触层(4)的厚度为200nm～500nm；

所述缓冲层(5)的厚度为50nm～200nm。

2.根据权利要求1所述的一种PBn型InAsSb红外探测器材料，其特征在于：所述顶电极接触层(1)的材料为掺杂Be的p型GaSb单晶；Be的掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3～1×10¹⁸cm^-3；

所述势垒层(2)的材料为掺杂Be的p型AlAs_0.08Sb_0.92单晶，Be的掺杂浓度为5×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁶cm^-3；

所述吸收层(3)的材料为非故意掺杂InAs_0.91Sb_0.09材料；

所述底电极接触层(4)材料为n型InAs_0.91Sb_0.09单晶且掺杂Si，Si的掺杂浓度为10¹⁷cm^-3～10¹⁸cm^-3；

所述缓冲层(5)材料为非故意掺杂GaSb材料；

所述衬底(6)材料为掺杂Te的n型GaSb材料，Te的掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3～5×10¹⁷cm^-3。

3.一种如权利要求1或2所述的一种PBn型InAsSb红外探测器材料的制备方法，其特征在于：

(1)在衬底(6)上生长缓冲层(5)；

(2)在缓冲层(5)上生长底电极接触层(4)；

(3)在底电极接触层(4)上生长吸收层(3)；

(4)在吸收层(3)上生长势垒层(2)；

(5)在势垒层(2)上生长顶电极接触层(1)，制备得到一种PBn型InAsSb红外探测器材料。