[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层，所述有源层包括m个周期交替生长的量子阱层和量子垒层，其特征在于，

所述有源层包括靠近所述N型层的a个第一量子垒层、靠近所述P型层的b个第三量子垒层、以及位于a个所述第一量子垒层和b个所述第三量子垒层之间的c个第二量子垒层，a个所述第一量子垒层均为N型掺杂的GaN层，b个所述第三量子垒层均为P型掺杂的GaN层，c个所述第二量子垒层分别为N型掺杂的GaN层或P型掺杂的GaN层，且相邻两个所述第二量子垒层分别为不同掺杂的GaN层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，a个所述第一量子垒层中N型掺杂的掺杂浓度是8*10¹⁷～8*10¹⁸cm^-3。

3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，b个所述第三量子垒层中P型掺杂的掺杂浓度是1*10¹⁸～8*10¹⁸cm^-3。

4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，c个所述第二量子垒层中N型掺杂的掺杂浓度是8*10¹⁷～8*10¹⁸cm^-3，P型掺杂的掺杂浓度是1*10¹⁸～8*10¹⁸cm^-3。

5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，m＝a+b+c，1≤a≤4，1≤b≤3，4≤c≤8。

6.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层和N型层；

在所述N型层上生长有源层，所述有源层包括m个周期交替生长的量子阱层和量子垒层，所述有源层包括靠近所述N型层的a个第一量子垒层、靠近P型层的b个第三量子垒层、以及位于a个所述第一量子垒层和b个所述第三量子垒层之间的c个第二量子垒层，a个所述第一量子垒层均为N型掺杂的GaN层，b个所述第三量子垒层均为P型掺杂的GaN层，c个所述第二量子垒层分别为N型掺杂的GaN层或P型掺杂的GaN层，且相邻两个所述第二量子垒层分别为不同掺杂的GaN层；

在所述有源层上生长P型层。

7.根据权利要求6所述的发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，在每次生长所述第二量子垒层前以及在每次生长所述第二量子垒层后，中断所述有源层的生长，中断时间为t。

8.根据权利要求7所述的发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，20s≤t≤90s。

9.根据权利要求6所述的发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，a个所述第一量子垒层中N型掺杂的掺杂浓度是8*10¹⁷～8*10¹⁸cm^-3。

10.根据权利要求6所述的发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，b个所述第三量子垒层中P型掺杂的掺杂浓度是1*10¹⁸～8*10¹⁸cm^-3。