[发明专利]一种防滴液半导体自动刻蚀装置在审

专利信息
申请号: 202011065453.4 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112201595A 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 温妖 申请(专利权)人: 青田林心半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;B08B1/00;B08B15/02;B08B17/02
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地址: 323900 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 防滴液 半导体 自动 刻蚀 装置
【说明书】:

发明涉及半导体相关领域,公开了一种防滴液半导体自动刻蚀装置,包括主箱体,主箱体内设有刻蚀腔,刻蚀腔后侧设有运输带轮腔,运输带轮腔前端壁和刻蚀腔后端壁之间连通设有连接块腔,运输带轮腔后侧设有传动带轮腔,通过雾化刻蚀液并使其均匀弥漫至半导体掩膜刻蚀槽内,避免因为刻蚀液用量不一而造成刻蚀程度不一的问题,保证了样品的良率,此外,通过设置刻蚀液处理机构,有效清除了凝结在刻蚀腔上壁的刻蚀液和掩膜上多余的刻蚀液,减少液滴滴落在样品上产生的刻蚀不均的情况,而且防止多余刻蚀液进入刻蚀槽而影响到刻蚀效果。

技术领域

本发明涉及半导体相关领域,尤其是一种防滴液半导体自动刻蚀装置。

背景技术

目前常有的半导体湿法刻蚀方式主要有喷淋式和浸润式,然而在喷淋式刻蚀过程中,刻蚀液虽然可以均匀喷洒至掩膜上,但由于刻蚀图案不规则,掩膜各处用到的刻蚀液量不尽相同,从而造成刻蚀程度不一的现象,影响了样品的良率,此外,刻蚀过程中挥发出的刻蚀液容易在刻蚀腔的上表面冷凝形成液滴,随着液滴逐渐积累最终会滴落到待刻蚀的半导体掩膜上,从而产生刻蚀不均的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种防滴液半导体自动刻蚀装置,能够克服现有技术的上述缺陷,从而提高设备的实用性。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:本发明的一种防滴液半导体自动刻蚀装置,包括主箱体,所述主箱体内设有刻蚀腔,所述刻蚀腔后侧设有运输带轮腔,所述运输带轮腔前端壁和所述刻蚀腔后端壁之间连通设有连接块腔,所述运输带轮腔后侧设有传动带轮腔,所述传动带轮腔和所述运输带轮腔之间设有向上延伸的蜗轮蜗杆腔,所述蜗轮蜗杆腔左侧设有转轮腔,所述转轮腔前端壁连通设有供液活塞腔,所述供液活塞腔内滑动配合连接有供液活塞,所述主箱体内设有位于所述供液活塞腔上侧的刻蚀液储存腔,所述供液活塞腔前侧设有空气压缩室,所述供液活塞腔上端壁和所述刻蚀液储存腔下端壁之间连通设有活塞腔通管,所述活塞腔通管上固定连接有上单向阀,所述供液活塞腔下端壁和所述空气压缩室后端壁之间连通设有压缩室通管,所述压缩室通管上固定连接有下单向阀,所述连接块腔内滑动配合连接有连接块,所述连接块前端面固定连接有位于所述刻蚀腔内的清理块,所述清理块下端面固定连接有掩膜清理板,所述清理块内设有开口向上的挤压板滑块腔,所述挤压板滑块腔内滑动配合连接有部分位于所述刻蚀腔内的挤压板滑块,所述挤压板滑块下端面和所述挤压板滑块腔下端壁之间固定连接有第一弹簧,所述挤压板滑块上端面固定连接有挤压板,所述挤压板上端面固定连接有吸液海绵,所述吸液海绵上端面和所述刻蚀腔上端壁抵接。

在上述技术方案基础上,所述刻蚀腔下端壁固定连接有位于所述刻蚀腔内工作台,所述工作台内设有开口向上的启动滑块腔,所述启动滑块腔内滑动配合连接有启动滑块,所述启动滑块下端面和所述启动滑块腔下端壁之间固定连接有启动弹簧,所述启动滑块腔右端面固定连接有接触开关,所述刻蚀腔下侧设有回收腔,所述刻蚀腔下端壁连通设有位于所述工作台右侧的液体收集腔,所述液体收集腔下端壁和所述回收腔上端壁之间连通设有液体下落腔,所述刻蚀腔前端壁连通设有开口向前的进出腔,所述主箱体前端面铰接有位于外界的盖板,所述盖板前端面固定连接有盖板把手。

在上述技术方案基础上,所述主箱体内设有位于所述传动带轮腔后侧的电机,所述电机前端面固定连接有向前贯穿所述传动带轮腔且向前延伸至所述运输带轮腔内的主动轴,所述主动轴上固定连接有位于所述运输带轮腔内的第一带轮,所述运输带轮腔后端壁转动配合连接有向前延伸至所述运输带轮腔内的运输带轮辅轴,所述运输带轮辅轴上固定连接有位于所述运输带轮腔内的第二带轮,所述第二带轮和所述第一带轮之间动力配合连接有运输传送带,所述运输带轮腔内滑动配合连接有滑动块,所述滑动块内设有前后贯穿的滑动块内腔,所述滑动块内腔内滑动配合连接有推块,所述运输传送带前端面固定连接有推块连接杆,所述推块连接杆和所述推块转动配合连接。

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