[发明专利]像素排列结构及显示面板有效
申请号: | 202011065548.6 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112201679B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 叶訢;李俊峰;单奇 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 排列 结构 显示 面板 | ||
1.一种像素排列结构,其特征在于,包括:
多个阵列排布的重复单元,每个重复单元包括相邻设置的第一结构和第二结构,每个结构包括一个第一像素,一个第二像素和一个第三像素;
对于第一结构,所述第一像素和所述第二像素沿第一方向排列,所述第一像素和所述第三像素沿第二方向排列;对于第二结构,所述第一像素和所述第二像素沿第二方向排列,所述第一像素和所述第三像素沿第一方向排列;
对于同一重复单元,所述第一结构中的第二像素和所述第二结构中的第二像素沿所述第一方向或所述第二方向排列,所述第一结构中的第三像素和所述第二结构中的第三像素沿所述第一方向或所述第二方向排列,所述第一方向与所述第二方向垂直;
所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素均为完整像素。
2.根据权利要求1所述的像素排列结构,其特征在于,在同一重复单元中,两个所述第一像素位于两个相同的第一虚拟四边形的内部,其中,两个所述第一虚拟四边形的对角线在同一条第一直线上;
所述第一结构的第二像素和所述第二结构的第二像素、所述第一结构的第三像素和所述第二结构的第三像素分别位于两个相同的第二虚拟四边形的内部,其中,两个所述第二虚拟四边形的对角线在同一条第二直线上,所述第一直线与所述第二直线垂直。
3.根据权利要求2所述的像素排列结构,其特征在于,所述第一像素的形状为正方形或类正方形,所述第二像素和所述第三像素的形状均为长方形或类长方形;
在同一重复单元中,所述第一虚拟四边形中的所述第一像素包括远离所述第三像素的第一边界,所述第二虚拟四边形中的两个所述第二像素包括位于所述第一边界同一侧的第二边界和第三边界,所述第一边界、所述第二边界和所述第三边界在同一条直线上。
4.根据权利要求3所述的像素排列结构,其特征在于,所述第一边界的长度等于所述第二边界的长度和所述第三边界的长度之和。
5.根据权利要求4所述的像素排列结构,其特征在于,所述第二边界的长度等于所述第三边界的长度。
6.根据权利要求3所述的像素排列结构,其特征在于,所述第一虚拟四边形中的所述第一像素还包括与所述第一边界垂直且远离所述第二像素的第四边界,所述第二虚拟四边形中的两个所述第三像素包括位于所述第四边界同一侧的第五边界和第六边界,所述第四边界、所述第五边界和所述第六边界在同一条直线上。
7.根据权利要求6所述的像素排列结构,其特征在于,所述第四边界的长度等于所述第五边界的长度。
8.根据权利要求7所述的像素排列结构,其特征在于,所述第五边界的长度等于所述第六边界的长度。
9.根据权利要求3所述的像素排列结构,其特征在于,所述第一像素的四个顶角、所述第二像素的四个顶角及所述第三像素的四个顶角均倒角。
10.根据权利要求2所述的像素排列结构,其特征在于,所述第一像素的形状为圆形,所述第二像素和所述第三像素的形状均为椭圆形;
在同一重复单元中,所述圆形的直径与所述椭圆形的长轴长度相等,所述圆形的半径与所述椭圆形的短轴长度相等。
11.根据权利要求1所述的像素排列结构,其特征在于,所述第一结构的第一像素、第二像素以及第三像素构成一个发光单元;所述第二结构的第一像素、第二像素以及第三像素构成另一个发光单元。
12.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板、以及设置于所述衬底基板上的如权利要求1-11中任一所述的像素排列结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011065548.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种锂电池结构
- 下一篇:图像处理方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的