[发明专利]一种多层硅光子器件的制备方法

权利要求书

1.一种多层硅光子器件的制备方法，其特征在于，所述多层硅光子器件包括多个形成有有源器件的硅层，其制备方法为：

步骤a：提供一个第一SOI片，在所述第一SOI片的顶层硅上形成第一有源器件，然后沉积第一层间介质；

步骤b：将第二SOI片键合在所述第一层间介质上，使所述第二SOI片的顶层硅与所述第一层间介质贴合，刻蚀去除所述第二SOI片的背衬底和埋氧化层，然后形成第二有源器件，再沉积第二层间介质；所述键合的条件为：在300～350℃下键合后，进行退火处理；

步骤c：重复步骤b，直至形成N层堆叠结构；

步骤d：可选择性地进行后加工处理，形成多层硅光子器件；

其中，所述N为大于等于3的整数。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b中，刻蚀去除背衬底的方法为：干法刻蚀，并且干法刻蚀之前任选地进行化学机械抛光处理。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b中，刻蚀去除埋氧化层的方法为：湿法刻蚀。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述后加工处理包括：

依次开孔、填充孔。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述孔填充之后还包括：依次沉积金属层、钝化层。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一SOI片和所述第二SOI片中的顶层硅的厚度均为220nm。

7.根据权利要求1或6所述的制备方法，其特征在于，所述第一SOI片和所述第二SOI片中的埋氧化层的厚度均为3μm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多层硅光子器件为波导器件、耦合器、调制器或探测器。