[发明专利]高电子迁移率晶体管HEMT器件、晶圆、封装器件和电子设备

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管HEMT器件，其特征在于，包括：衬底、氮化物外延层、栅极半导体结构、栅金属、源极结构和漏极结构；

其中，所述氮化物外延层设置在所述衬底上，所述栅极半导体结构设置在所述氮化物外延层的第一表面上，所述第一表面为所述氮化物外延层的远离所述衬底的表面；

所述源极结构和所述漏极结构设置在所述第一表面上，且分布在所述栅极半导体结构两侧；

所述栅极半导体结构包括：第一半导体层，所述第一半导体层由p型氮化物生成，所述第一半导体层位于所述第一表面上；

所述栅极半导体结构还包括：多个n型半导体，多个所述n型半导体位于所述第一半导体层和所述栅金属之间，且多个所述n型半导体沿同一方向间隔排布，多个所述n型半导体的排布方向与所述栅极半导体结构的栅宽方向平行。

2.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述第一半导体层包括多个第一凸起部，多个所述n型半导体设置在所述第一半导体层内，且两两所述n型半导体之间由所述第一凸起部间隔。

3.根据权利要求2所述的HEMT器件，其特征在于，至少一个所述n型半导体靠近所述栅金属的表面与至少一个所述第一凸起部靠近所述栅金属的表面共面。

4.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述栅极半导体结构还包括：第二半导体层，所述第二半导体层由p型氮化物生成；

所述第二半导体层位于所述栅金属靠近所述第一半导体层的一面。

5.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述栅金属包括多个第二凸起部，多个所述n型半导体设置在所述栅金属内，且两两所述n型半导体之间由所述第二凸起部间隔。

6.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，多个所述n型半导体之间填充绝缘介质。

7.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，多个所述n型半导体等间距间隔排布。

8.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述衬底由异质外延衬底或同质外延衬底生成，所述异质外延衬底为硅材料、蓝宝石或碳化硅材料，所述同质外延衬底为氮化镓材料。

9.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述氮化物外延层包括：设置在所述衬底上的成核层、设置在所述成核层上的缓冲层、设置在所述缓冲层上的沟道层、以及设置在所述沟道层上的势垒层；

所述成核层由氮化铝材料生成，所述缓冲层由氮化铝镓材料或氮化镓材料生成，所述沟道层由未掺杂的氮化镓材料生成，所述势垒层由氮化铝镓材料、氮化铝铟材料、或者氮化铝铟镓材料生成。

10.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述源极结构和所述漏极结构对称分布在所述栅极半导体结构两侧。

11.根据权利要求1至10任一所述的HEMT器件，其特征在于，所述第一半导体层或第二半导体层由氮化镓材料、氮化铝镓材料、氮化铟镓材料、氮化铟铝材料或氮化铟铝镓材料生成。