[发明专利]一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置在审
| 申请号： | 202011066818.5 | 申请日： | 2020-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN114390409A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 郑治龙;覃仕明 | 申请（专利权）人： | 张家界龙仕高科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R9/06 | 分类号： | H04R9/06;H04R9/02 |
| 代理公司： | 张家界市慧诚商标专利事务所 43209 | 代理人： | 高红旺 |
| 地址： | 427000 湖南省张*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 喇叭 场强 利用率 磁场 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，由T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板导磁体组成，T型磁缸底板导磁体与T型柱内空磁缸上盖板之间设置有环状永磁材料，其特征在于，所述的T型磁缸底板导磁体由底板和磁柱构成，所述T型柱内空磁缸上盖板导磁体由盖板和内空柱体构成。
2.根据权利要求1所述的喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，其特征是，所述环状永磁材料内侧设置有磁屏蔽材料。
3.根据权利要求1或2所述的喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，其特征是，所述内空柱体的根部和磁柱的根部具有环状凹槽。
4.根据权利要求3所述的喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，其特征是，所述凹槽为方形凹槽或孤形凹槽。
5.根据权利要求4所述的喇叭用高场强高磁利用率的匀强磁场装置，其特征是，所述内空柱体顶端与磁柱根部之间的距离为磁缸间隙1.2～3倍。
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