[发明专利]基于p-i-n结构的栅控氧化镓场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于p-i-n结构的栅控氧化镓场效应晶体管，自下而上包括：衬底(1)、n-Ga₂O₃外延层(2)，n-Ga₂O₃外延层(2)上部的两端设有离子注入区(3)，该离子注入区(3)的上部分别设有源电极(5)和漏电极(6)，n-Ga₂O₃外延层(2)上端的中间区域设有栅电极(9)，在栅电极(9)分别与源电极(5)和漏电极(6)之间的n-Ga₂O₃外延层(2)之上，以及源电极(5)和漏电极(6)的内表面设有Al₂O₃保护层(7)，其特征在于：

所述n-Ga₂O₃外延层(2)与栅电极(9)之间设有i-Ga₂O₃薄膜层(4)和p型NiO薄膜层(8)，该p型NiO薄膜层(8)、i-Ga₂O₃薄膜层(4)和n-Ga₂O₃外延层(2)构成p-i-n结构，以形成高耐压的增强型氧化镓器件。

2.根据权利要求1所述场效应晶体管，其中衬底(1)采用Ga₂O₃衬底，SiO₂衬底和蓝宝石绝缘衬底中任意一种。

3.根据权利要求1所述场效应晶体管，其中源电极(5)和漏电极(6)均采用厚度为60nm/120nm的Ti/Au。

4.根据权利要求1所述场效应晶体管，其中栅电极(9)采用厚度为60nm/60nm的Ni/Au。

5.根据权利要求1所述场效应晶体管，其中i-Ga₂O₃薄膜层(4)的厚度为80nm-120nm；p型NiO薄膜层(8)的厚度为200nm-300nm。