[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及位于所述若干鳍片顶面的硬掩膜层；

在所述半导体衬底表面和所述若干鳍片侧壁原位形成保护层；

在所述保护层表面以及所述硬掩膜层侧壁和顶面形成缓冲层；

对所述若干鳍片进行退火工艺，所述退火工艺的退火气体包括氮气和氧气。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底表面和所述若干鳍片侧壁原位形成保护层的方法包括原位蒸汽生成工艺。

3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述保护层表面以及所述硬掩膜层侧壁和顶面形成缓冲层的方法包括原子层沉积法。

4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的温度为900摄氏度至1100摄氏度。

5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火气体中氧气的含量占比为1％至5％。

6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为10埃至15埃。

7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为48埃至55埃。

8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底上形成完全覆盖所述半导体衬底、所述若干鳍片和所述硬掩膜层的隔离材料层。

9.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离材料层的方法包括可流动的化学气相沉积工艺，所述半导体结构的形成方法还包括：使用湿退火工艺固化所述隔离材料层。

10.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：去除部分所述隔离材料层使所述隔离材料层的顶面低于所述若干鳍片的顶面形成隔离层。

11.如权利要求10所述半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分所述隔离材料层的方法包括化学机械研磨工艺和刻蚀工艺。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干鳍片；

保护层，位于所述半导体衬底表面和所述若干鳍片侧壁；

缓冲层，位于所述保护层表面。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的厚度为10埃至15埃。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的厚度为48埃至55埃。

15.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，还包括：隔离层，位于所述缓冲层表面环绕所述若干鳍片，所述隔离层的顶面低于所述若干鳍片的顶面。