[发明专利]一种相变工程调控铁基钙钛矿氧化物薄膜电催化活性的方法

权利要求书

1.一种相变工程调控铁基钙钛矿氧化物薄膜电催化活性的方法，其特征在于，用脉冲激光在衬底层上轰击靶材，调整沉积过程中动态氧分压为1.0～30.0Pa，得到具有不同相结构的SrFeO_3-x(0x≤0.5)单晶薄膜，所述靶材为SrFeO_2.97。

2.如权利要求1所述的相变工程调控铁基钙钛矿氧化物薄膜电催化活性的方法，其特征在于，腔体内背底真空度小于2×10^-5Pa，沉积温度为600～800℃。

3.如权利要求1所述的相变工程调控铁基钙钛矿氧化物薄膜电催化活性的方法，其特征在于，激光光源为KrF准分子激光，激光波长为248nm，激光脉宽10ns，激光能量密度为1.0J/cm²～4.0J/cm²，激光频率为1Hz～10Hz。

4.如权利要求1所述的相变工程调控铁基钙钛矿氧化物薄膜电催化活性的方法，其特征在于，沉积过程中动态氧分压为5.0Pa时，得到SrFeO_2.5单晶薄膜。

5.如权利要求4所述的相变工程调控铁基钙钛矿氧化物薄膜电催化活性的方法，其特征在于，所述SrFeO_2.5单晶薄膜为钙铁石相结构。

6.如权利要求1所述的相变工程调控铁基钙钛矿氧化物薄膜电催化活性的方法，其特征在于，所述SrFeO_3-x(0x≤0.5)单晶薄膜的厚度为10～40nm。

7.如权利要求1所述的相变工程调控铁基钙钛矿氧化物薄膜电催化活性的方法，其特征在于，所述衬底层包括单晶衬底以及La_0.7Sr_0.3MnO₃导电网络。

8.如权利要求7所述的相变工程调控铁基钙钛矿氧化物薄膜电催化活性的方法，其特征在于，所述La_0.7Sr_0.3MnO₃导电网络的厚度为10-15nm。

9.如权利要求1-8任一项所述的相变工程调控铁基钙钛矿氧化物薄膜电催化活性的方法在制备不同相结构的SrFeO_3-x(0x≤0.5)单晶薄膜的应用。

10.一种不同相结构的SrFeO_3-x(0x≤0.5)单晶薄膜，其特征在于，用权利要求1-8任一项所述的相变工程调控铁基钙钛矿氧化物薄膜电催化活性的方法制得。