[发明专利]磁体升场方法及装置

权利要求书

1.一种磁体升场方法，应用于磁共振成像系统中，其特征在于，包括：

根据磁共振成像系统的发射通道发射的射频信号的反射特性设置磁体的第一目标频率；

根据磁体的第一目标频率和理论磁场升场灵敏度，计算磁体的第一目标电流；

测量未贴匀场片的磁体的实际场强频率；

根据未贴匀场片的磁体的实际场强频率和磁体的第一目标电流，计算磁体的实际磁场升场灵敏度；

计算磁体贴匀场片所带来的场强频率变化量；

根据磁体贴匀场片所带来的场强频率变化量，对磁体的第一目标频率进行修正，得到第二目标频率；

根据磁体的第二目标频率和磁体的实际磁场升场灵敏度，对磁体的第一目标电流进行修正，得到磁体的第二目标电流；

控制磁体的电流上升至所述磁体的第二目标电流。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据磁共振成像系统的发射通道发射的射频信号的反射特性设置磁体的第一目标频率包括：

获取发射机的0°发射通道发射的射频信号的最小反射系数对应的第一频率；

获取发射机的90°发射通道发射的射频信号的最小反射系数对应的第二频率；

将第一频率和第二频率的均值作为磁体的第一目标频率。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据磁体的第一目标频率和理论磁场升场灵敏度，计算磁体的第一目标电流包括：

将磁体的第一目标频率除以磁体的理论磁场升场灵敏度，得到磁体的第一目标电流。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量未贴匀场片的磁体的实际场强频率包括：

测量未贴匀场片的磁体的多个位置的场强频率，对测量得到的多个位置的场强频率进行球谐函数分解，将分解结果中的零阶项对应的值作为未贴匀场片的磁体的实际场强频率。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据未贴匀场片的磁体的实际场强频率和磁体的第一目标电流，计算磁体的实际磁场升场灵敏度包括：

将未贴匀场片的磁体的实际场强频率除以磁体的第一目标电流，得到磁体的实际磁场升场灵敏度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算磁体贴匀场片所带来的场强频率变化量包括：

通过磁体上贴的匀场片的数目和各个匀场片的位置，预测贴匀场片后磁体的场强频率，将贴匀场片后磁体的场强频率减去未贴匀场片的磁体的实际场强频率，得到磁体贴匀场片所带来的场强频率变化量。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据磁体贴匀场片所带来的场强频率变化量，对磁体的第一目标频率进行修正包括：

将磁体的第一目标频率减去所述场强频率变化量，得到所述磁体的第二目标频率。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据磁体的第二目标频率和磁体的实际磁场升场灵敏度，对磁体的第一目标电流进行修正包括：

将磁体的第二目标频率除以磁体的实际磁场升场灵敏度，得到所述磁体的第二目标电流。

9.一种磁体升场装置(50)，其特征在于，包括：

目标电流计算模块(51)，用于根据磁共振成像系统的发射通道发射的射频信号的反射特性设置磁体的第一目标频率；根据磁体的第一目标频率和理论磁场升场灵敏度，计算磁体的第一目标电流；

实际磁场升场灵敏度计算模块(52)，用于测量未贴匀场片的磁体的实际场强频率；根据未贴匀场片的磁体的实际场强频率和磁体的第一目标电流，计算磁体的实际磁场升场灵敏度；

目标电流修正模块(53)，用于计算磁体贴匀场片所带来的场强频率变化量；根据磁体贴匀场片所带来的场强频率变化量，对磁体的第一目标频率进行修正，得到第二目标频率；根据磁体的第二目标频率和磁体的实际磁场升场灵敏度，对磁体的第一目标电流进行修正，得到磁体的第二目标电流；

升场模块(54)，用于控制磁体的电流上升至所述磁体的第二目标电流。

10.一种磁体升场装置(60)，其特征在于，包括：存储器(61)以及可访问存储器(61)的处理器(62)，该存储器(61)存储指令，该指令在由处理器(62)执行时使得处理器(62)执行如权利要求1至8任一项所述的方法的步骤。