[发明专利]获取时序老化敏感性信息的方法和装置、电子设备、介质

说明书

本申请提供了一种获取时序老化敏感性信息的方法和装置、电子设备、计算机可读存储介质，获取时序老化敏感性信息的方法包括：获取第一预设条件；根据数据库获取第一预设条件对应的不同类型的标准单元的第一时序老化敏感性信息；其中，第一时序老化敏感性信息包括：表征标准单元老化对标准单元所产生的影响的第一时延影响参数，以及表征标准单元老化对后级互连线和后级标准单元所产生的影响的第二时延影响参数。

技术领域

本申请实施例涉及集成电路领域和存储领域，特别涉及获取时序老化敏感性信息的方法和装置、电子设备、计算机可读存储介质。

背景技术

随着电子技术的不断发展，人们通过不断缩小器件尺寸来获得更高的集成电路性能。但在先进的纳米工艺条件下，随着电路集成度的提高和复杂度的提升，其可靠性问题也变得日益严峻。与之相对的，人们对于集成电路的可靠性和使用寿命的需求却越来越高。在集成电路的使用过程中，金属氧化物半导体(MOS，Complementary Metal-OxideSemiconductor)的老化是最主要的可靠性影响因素，器件的老化会导致其时序性能的退化，进而在使用一段时间后发生时序问题，这些由器件老化导致的时序问题已经成为实现高可靠性集成电路系统的绊脚石。

物理实现是集成电路设计中的重要阶段，在这一阶段中，设计者利用专业工具，基于芯片设计门级网表进行布局布线和物理验证，集成电路中的路径时序将在这一阶段完成收敛，并最终产生供制造用的设计版图。为了规避上述的老化导致的时序问题，负责物理实现的设计者通常会在电路中添加额外的时序裕量，以保证即便发生老化，电路在工作一定时间后仍能被正常使用。不过，添加时序裕量会制约电路性能，并带来设计难度的增大等问题。另一种方案，即针对标准单元选型进行设计优化。在设计过程中，可以参考每个标准单元的老化时序敏感性数据，选择老化前后对于路径时序影响较小的那些标准单元进行物理实现，这样能够在提高电路时序对老化的抗性的同时，避免由于考虑老化而添加过大时序裕量而带来的性能制约。但在实现这一方案之前，需要一个高效的，能提供每个标准单元时序老化敏感性的分析方法。

相关技术的时序老化敏感性分析方法的分析效率比较低。

发明内容

本申请实施例提供一种获取时序老化敏感性信息的方法和装置、电子设备、计算机可读存储介质。

第一方面，本申请实施例提供一种获取时序老化敏感性信息的方法，包括：

获取第一预设条件；

根据数据库获取第一预设条件对应的不同类型的标准单元的第一时序老化敏感性信息；其中，第一时序老化敏感性信息包括：表征标准单元老化对标准单元所产生的影响的第一时延影响参数，以及表征标准单元老化对后级互连线和后级标准单元所产生的影响的第二时延影响参数。

第二方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括：

至少一个处理器；

存储器，存储器上存储有至少一个程序，当至少一个程序被至少一个处理器执行时，实现上述任意一种获取时序老化敏感性信息的方法。

第三方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述任意一种获取时序老化敏感性信息的方法。

本申请实施例提供的获取时序老化敏感性信息的方法，基于数据库获取第一预设条件对应的不同类型的标准单元的第一时序老化敏感性信息，而不需要对标准单元进行逐个分析，提高了分析效率；并且，由于第一时序老化敏感性信息包括表征标准单元老化对标准单元自身所产生的影响的第一时延影响参数、以及表征标准单元老化对后级互连线和后级标准单元所产生的影响的第二时延影响参数，也就是考虑了前级标准单元的老化对后级互连线和后级标准单元的时序影响，提供了更多维度的标准单元的时序老化敏感性信息，更加符合集成电路实际工作情况，提高了所获得的时序老化敏感性信息的可靠性。

附图说明