[发明专利]一种用于钙钛矿太阳能电池电子传输层的质子化胺硅烷偶联剂

权利要求书

1.一种用于钙钛矿电池电子传输层的质子化胺硅烷偶联剂，其特征步骤如下：

(1)SnO₂层的制备

将ITO玻璃裁成15mm×20mm大小，并将其中4mm×20mm用锌粉和2M稀盐酸进行刻蚀，等待5分钟后，清水冲洗干净。用无尘布或者棉花加洗洁精清洗玻璃表面。将小块ITO玻璃依次放入玻璃清洗架清洗，分别加入去离子水、丙酮、无水乙醇超声清洗20分钟，清洗后取出吹干放入培养皿中，放到紫外臭氧清洗机中臭氧清洗30分钟。然后在配SnO₂水溶液，用之前进行过滤。在匀胶机上以转速3000rpm旋涂已配好的SnO₂水分散溶液20s，随之放在加热板上180℃退火30min，等冷却至室温。可得到约30nm厚的SnO₂。

(2)3-氨基丙基三乙氧基硅烷层的制备

将基底旋涂SnO₂浸泡在3mM的3-氨基丙基三乙氧基硅烷异丙醇溶液中，浸泡3小时。然后再用异丙醇溶剂冲洗表面剩余物，可得到硅烷单分子层。

(3)质子化胺硅烷偶联剂的制备

方案一：

浓盐酸稀释不同倍数，将制备的硅烷单分子层浸泡1min，再用异丙醇冲洗并用N₂流动吹干。

方案二：

浓盐酸稀释100倍，将制备的硅烷单分子层浸泡不同时间，再用异丙醇冲洗并用N₂流动吹干。

2.根据权利要求1所述一种用于钙钛矿电池电子传输层的质子化胺硅烷偶联剂的制备方法，其特征在于：在3mM的3-氨基丙基三乙氧基硅烷异丙醇溶液的基础上，稀释浓盐酸100倍浸泡1min的效果是最佳的。

3.根据权利要求1所述一种用于钙钛矿电池电子传输层的质子化胺硅烷偶联剂的制备方法，其特征在于：所述本发明采用的是一种溶液浸泡的方法，此方法可以保证薄的平整均一。