[发明专利]一种孤立ZnO微米棒的制备方法在审
| 申请号： | 202011070427.0 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112158875A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 孟奕锦;咸冯林;徐林华;曹兆楼;郑改革;匡文剑 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;C23C14/16;C23C14/30 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 张立荣;乔炜 |
| 地址： | 210044 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 孤立 zno 微米 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种孤立ZnO微米棒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、清洗单晶硅衬底，吹干后放入衬底托盘；
步骤二、将衬底载入真空室，对真空室腔体抽真空；
步骤三、对Au和Ti靶材进行预处理；
步骤四、采用电子束沉积法沉积Au/Ti薄膜，衬底温度为室温，沉积电压为10KV，沉积Au和Ti的厚度分别为50nm和20nm；
步骤五、采用水热法在衬底上生长ZnO微米棒，前驱体为硝酸锌和六次甲基四胺，溶剂为去离子水，生长温度为70-90摄氏度；
步骤六、生长结束后取出样品用去离子水清洗干净后晾干。
2.根据权利要求1所述孤立ZnO微米棒的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，将单晶硅衬底分别在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声清洗15分钟后用氮气吹干。
3.根据权利要求1所述孤立ZnO微米棒的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，对真空室腔体抽真空，使得真空室的真空度达到6×10-6 Pa。
4.根据权利要求1所述孤立ZnO微米棒的制备方法，其特征在于：所述步骤三中靶材预处理为对靶材预轰击。
5.根据权利要求1所述孤立ZnO微米棒的制备方法，其特征在于：所述步骤五中，水热法在生长ZnO微米棒的时间为24小时。
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