[发明专利]一种ZnO薄膜的干法刻蚀方法在审
| 申请号： | 202011070446.3 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112185818A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 高钰麒;咸冯林;徐林华;匡文剑;郑改革;曹兆楼;李金花;杨明珠;裴世鑫 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 张立荣;乔炜 |
| 地址： | 210044 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 薄膜 刻蚀 方法 | ||
1.一种ZnO薄膜的干法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、对ZnO薄膜进行清洗，吹干后待用；
步骤二、在ZnO薄膜表面旋涂一层光刻胶；
步骤三、通过掩模紫外曝光和丙酮清洗获得所需图案；
步骤四、对ICP刻蚀的刻蚀腔进行抽真空；
步骤五、向刻蚀腔内通入甲烷、氢气和氩气，气体流量分别为3 sccm、8 sccm和5sccm，调节真空腔压强为0.13Pa；
步骤六、对刻蚀腔进行预刻蚀；
步骤七、在刻蚀腔内载入ZnO薄膜，调节刻蚀温度为20摄氏度，射频功率设置为200 W，ICP功率设置为500W至1000W，进行刻蚀，完成后取出样品，使用丙酮超声清洗去除光刻胶，获得最终样品。
2.根据权利要求1所述ZnO薄膜的干法刻蚀方法，其特征在于：所述ZnO薄膜为蓝宝石衬底上生长的厚度3微米的ZnO薄膜。
3.根据权利要求1所述ZnO薄膜的干法刻蚀方法，其特征在于：ZnO薄膜分别在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声清洗15分钟后，用氮气进行吹干。
4.根据权利要求1所述ZnO薄膜的干法刻蚀方法，其特征在于：所述步骤二中，在ZnO薄膜表面旋涂光刻胶的旋涂速度为5000rpm，光刻胶厚度为1.5微米。
5.根据权利要求1所述ZnO薄膜的干法刻蚀方法，其特征在于：所述步骤四中，对刻蚀腔进行抽真空使真空度达到6×10-6 Pa。
6.根据权利要求1所述ZnO薄膜的干法刻蚀方法，其特征在于：所述步骤七中，刻蚀时间为10分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
