[发明专利]一种移位寄存器及CMOS固态成像传感器

说明书

本发明公开了一种移位寄存器及CMOS固态成像传感器，移位寄存器包括：移位电路单元，所述移位电路单元包括多个依次连接的移位电路；寄存电路单元，所述寄存电路单元包括多个依次连接的寄存电路；所述移位电路和所述寄存电路一一对应连接。本发明根据需要通过对移位电路单元和寄存电路单元中的多个移位电路和寄存电路合理设计，能有效减少集成电路的特征尺寸，从而有效降低功耗。本发明可广泛应用于电子电路技术领域中。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种移位寄存器及CMOS固态成像传感器。

背景技术

在工业电子电路中，移位寄存器是可以数次同一时间，同一脉冲状态工作的触发器，数据以常见的并行或串行的结构方式传送到这种器件，接着每个时间脉冲，依次向左或向右移动一个bit，最后在输出端输出。刚刚这移位寄存器不过只是一维。然而实际里，还能设计数维的移位寄存器，也就是说，输入、输出的数据只是列位，实现数个维度移位寄存器的方法就是把很多个相同位数的移位寄存器并联起来，并排进行输入、输出。因为移位寄存器对数据的寄存只是暂时性的，并不需要保持很久时间。然而现在的移位寄存器，都存在着不可避免的功耗高、浪费能源问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种移位寄存器及CMOS固态成像传感器。

第一方面，本发明实施例提供了一种移位寄存器，包括：

移位电路单元，所述移位电路单元包括多个依次连接的移位电路；

寄存电路单元，所述寄存电路单元包括多个依次连接的寄存电路；

所述移位电路和所述寄存电路一一对应连接；

所述移位电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四N MOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管，所述第一NMOS管的漏极分别连接至所述第一PMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极、所述第三PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极，所述第三PMOS管的源极和所述第三PMOS管的漏极均与电源端连接，所述第四NMOS管的源极和所述第四NMOS管的漏极均与地连接，所述第一PMOS管的源极与电源端连接，所述第一PMOS管的漏极分别与第二PMOS管的栅极、第二NMOS管的漏极和第三 NMOS管的栅极相连接，所述第二PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的漏极作为所述移位电路的输出端与所述移位电路对应的寄存电路相连接，所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极均与地连接。

根据本发明一实施例中，若所述移位电路为第一个移位电路，所述第一NM OS管的源极与脉冲信号端连接；

若所述移位电路不为第一个移位电路，所述第一NMOS管的源极与上一个移位电路的输出端连接。

根据本发明一实施例中，若所述移位电路为第奇数位的移位电路，所述第一 NMOS管的栅极接入第一时钟信号，所述第二PMOS管的源极接入第二时钟信号；

若所述移位电路为第偶数位的移位电路，所述第一NMOS管的栅极接入第二时钟信号，所述第二PMOS管的源极接入第一时钟信号。