[发明专利]一种调控过渡金属硫化物的二次谐波信号的方法

权利要求书

1.一种调控过渡金属硫化物的二次谐波信号的方法，其特征在于，所述方法至少包含如下步骤：

S1、提供过渡金属硫化物/二维介电材料异质结；所述步骤S1具体包括以下步骤：

S11、制备单层二硫化钼样品；

所述步骤S11具体包括如下步骤：

将硫粉末放于高温管式炉第一温区，将三氧化钼与氯化钠的混合物作为钼源置于第二温区，将300nm SiO₂或Si衬底放于石英板上置于第三温区，其中，所述衬底与钼源之间的距离控制在5-15cm之间；

采用真空泵抽真空至0.1Pa后，通入惰性气体Ar作为载气和保护气，维持管内压强至50-300Pa；

控制第一温区，第二温区和第三温区分别升温至105-180℃，550-650℃和780-850℃稳定5min后，开始进入生长阶段，生长时间为10min-30min；

生长结束后，关闭加热电源，维持Ar气体流量不变，冷却至室温，得到单层的单晶二硫化钼样品；

其中，沿所述保护气的气流方向依次设置所述第一温区、第二温区和第三温区；

S12、制备石墨烯/单层二硫化钼异质结：

将块材石墨烯、二硫化钼分别使用胶带反复黏贴，直至各种材料的厚度分别达到10微米，将二硫化钼黏贴在第一基底上，在80℃下烘烤10分钟；将石墨烯黏贴在第二基底上，在60℃下烘烤3分钟，然后使用牵拉机将其撕下；

然后将单层石墨烯转移至二硫化钼上，具体方法是：先将PPC薄膜黏贴至PMMA小胶粒上，在显微镜下，将PPC薄膜对准单层石墨烯，将PMMA小胶粒加热至50℃，使得所述PMMA小胶粒热胀冷缩，黏起单层石墨烯，再在显微镜下，将PMMA小胶粒对准到单层二硫化钼上，加热至110℃，使PPC溶解，最后使用丙酮将其冲洗干净，完成转移过程；

其中，所述过渡金属硫化物/二维介电材料异质结设置于基底上，所述过渡金属硫化物位于所述基底的其中一个表面上，所述二维介电材料位于所述过渡金属硫化物的远离所述基底的一侧；

S2、测量过渡金属硫化物/二维介电材料异质结的二次谐波信号；

其中，在调谐的激发光波长范围1100nm-1280nm内的所述异质结的二次谐波信号小于所述过渡金属硫化物的本征二次谐波信号，所述激发光波长在1280nm-1325nm之间和1360nm的所述异质结的二次谐波信号大于所述过渡金属硫化物的本征二次谐波信号；所述激发光波长在1325nm-1350nm之间的所述异质结的二次谐波信号小于所述过渡金属硫化物的本征二次谐波信号；所述激发光波长在1260nm附近时，所述异质结的二次谐波信号相对于所述过渡金属硫化物的本征二次谐波信号减弱了50％以上。