[发明专利]Sr2在审

专利信息
申请号: 202011071683.1 申请日: 2020-10-09
公开(公告)号: CN112331435A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 王金凤;李亚芳;尹士莹 申请(专利权)人: 河南师范大学
主分类号: H01F1/00 分类号: H01F1/00;C04B35/32;C04B35/26;C04B35/622
代理公司: 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 41139 代理人: 路宽
地址: 453000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: sr base sub
【说明书】:

发明公开了一种Sr2FeMoO6(1‑x)‑CoFe2O4(x)复合材料磁阻转换行为的调控方法,将CoFe2O4和Sr2FeMoO6分别置于玛瑙研钵中研磨成粉末,再将得到的CoFe2O4粉末和Sr2FeMoO6粉末按照Sr2FeMoO6(1‑x)‑CoFe2O4(x)的投料质量比称量、混合、研磨并在6MPa的压力下分别压制成直径为10mm±1mm、厚度为1mm±0.1mm的圆形薄片,其中0wt%≤x≤55wt%,随着x值的增加,复合材料的HC(MR)逐渐由正值变为负值,磁阻出现了转换行为,且随着x值的增加,复合材料的磁阻转换越明显。本发明可以通过控制特定的投料比对磁阻行为转换进行可控地调制,制备过程简易且重复性较高。

技术领域

本发明属于磁阻复合材料技术领域,具体涉及一种Sr2FeMoO6(1-x)-CoFe2O4(x)复合材料磁阻转换行为的调控方法。

背景技术

1991年,B. Dieny另辟蹊径,发现Barkhausen噪声通过反铁磁层交换耦合手段可以有效地被抑制住,并根据在重复简单磁电阻结构的多层薄膜中发现多层巨磁电阻效应的基础上,提出了铁磁层/非磁性隔离层/铁磁层/反铁磁层四层薄膜的自旋阀(Spin Valve)结构(Dieny B, Speriosu V S, et al. Gaint magnetoresistance in softferromagnetic multilayers. Phys. Rev. B. 1991, 43: 1297-1300)。2007年,D. D.Sarma研究组通过对软铁磁Sr2FeMoO6样品的系统研究,于Sr2FeMoO6中提出了一种与传统隧穿磁阻效应不同,即受晶界磁性控制的类似于自旋阀的一种新型MR效应:SVMR效应(SarmaD. D., Sugata Ray, et al. Intergranular Magnetoresistance in Sr2FeMoO6 from aMagnetic Tunnel Barrier Mechanism across Grain Boundaries. Phys. Rev. Lett.2007, 98:157205)。2012年,D. D. Sarma研究组于软铁磁La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)晶界中引入硬铁磁绝缘物质CoFe2O4(CFO)进行修饰,在(LSMO)1-x-(CFO)x(0≤x≤0.5)复合材料体系中观察到SVMR的基础上,通过改变x的数值,HC(MR)值可逐渐由正值变为负值(反之亦然):即出现了磁阻转换行为(Anil Kumar1 P. and Sarma D. D. Effect of “dipolar-biasing”on the tunability of tunneling magnetoresistance in transition metal oxidesystems. Appl. Phys. Lett. 2012, 100:262407)。2015年,G. Muscas课题组又于软铁磁La0.67Ca0.33MnO3(LCMO)-硬铁磁CoFe2O4(CFO)复合材料中观察到SVMR行为后,通过改变测试温度的高低,也发现了磁阻转换行为(Muscas G., Anil Kumar P., Designing newferrite/manganite nanocomposites. Nanoscale. 2015, 8(4), 2081-2089)。

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