[发明专利]磁光测量设备在审
申请号: | 202011071769.4 | 申请日: | 2020-10-09 |
公开(公告)号: | CN112649371A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 世古畅哉 | 申请(专利权)人: | 天马日本株式会社 |
主分类号: | G01N21/17 | 分类号: | G01N21/17;G01N21/21 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;何月华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 设备 | ||
1.一种磁光测量设备,包括:
光源;
薄膜传感器,所述薄膜传感器包括磁性膜并且被配置为反射来自所述光源的光;
磁场产生装置,所述磁场产生装置被配置为对所述薄膜传感器施加磁场;以及
控制器,
其中,所述磁场产生装置被配置为向所述薄膜传感器交替地提供正磁场和负磁场,以在所述磁性膜中交替地引起幅度相等但方向相反的正磁化和负磁化,并且
其中,所述控制器被配置为:
在所述正磁场下在多个时刻测量被所述薄膜传感器反射的光量;
在所述负磁场下在多个时刻测量被所述薄膜传感器反射的光量;
根据在所述正磁场下在所述多个时刻测量的值和在所述负磁场下在所述多个时刻测量的值,确定一个或多个回归公式;以及
基于所述一个或多个回归公式确定特定输出值。
2.根据权利要求1所述的磁光测量设备,其中,所述正磁场和所述负磁场中的每一个使所述磁性膜的磁化饱和。
3.根据权利要求1所述的磁光测量设备,
其中,所述正磁场下的所述多个时刻包括用于施加所述正磁场的多个单位时间段内的时刻,并且
其中,所述负磁场下的所述多个时刻包括用于施加所述负磁场的多个单位时间段内的时刻。
4.根据权利要求1所述的磁光测量设备,其中,所述控制器被配置为:
根据在所述正磁场下在所述多个时刻测量的值确定第一回归公式;
根据在所述负磁场下在所述多个时刻测量的值确定第二回归公式;
使用所述第一回归公式计算在特定时刻在所述正磁场下反射的光量的第一值;
使用所述第二回归公式计算在所述特定时刻在所述负磁场下反射的光量的第二值;以及
基于所述第一值和所述第二值确定所述特定输出值。
5.根据权利要求1所述的磁光测量设备,其中,所述控制器被配置为:
根据在所述正磁场下在所述多个时刻测量的值以及在所述负磁场下在所述多个时刻测量的值,确定所述磁性膜未被磁化时的预期反射光量的第三回归公式;以及
使用所述第三回归公式确定所述特定输出值。
6.根据权利要求1所述的磁光测量设备,
其中,所述控制器被配置为使所述光源周期性地闪烁并且执行被所述薄膜传感器反射的光量的同步测量,并且
其中,所述光源的闪烁周期比所述磁场产生装置的磁场反转周期短。
7.根据权利要求6所述的磁光测量设备,其中,所述控制器被配置为在使所述光源周期性地闪烁之前,以恒定电流点亮所述光源预定时间段。
8.根据权利要求1所述的磁光测量设备,其中,所述磁场产生装置通过改变向线圈供给的恒定电流的方向来产生所述正磁场和所述负磁场。
9.根据权利要求1所述的磁光测量设备,其中,所述控制器被配置为在所述一个或多个回归公式的确定中,排除在所述磁场产生装置改变磁场方向之后在预定时间段内测量的反射光量的数据。
10.根据权利要求1所述的磁光测量设备,其中,所述控制器被配置为在所述光源的输出变化的时间段期间测量被所述薄膜传感器反射的光量。
11.一种磁光测量方法,包括:
向薄膜传感器的磁性膜交替地提供正磁场和负磁场,以在所述磁性膜中交替地引起幅度相等但方向相反的正磁化和负磁化;
在所述正磁场下在多个时刻测量被所述薄膜传感器反射的光量;
在所述负磁场下在多个时刻测量被所述薄膜传感器反射的光量;
根据在所述正磁场下在所述多个时刻测量的值和在所述负磁场下在所述多个时刻测量的值,确定一个或多个回归公式;以及
基于所述一个或多个回归公式确定特定输出值。
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