[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011072307.4 | 申请日: | 2020-10-09 |
公开(公告)号: | CN112768492A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 金在植;郑知泳;金载益;李娟和;李濬九 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供了一种显示装置。所述显示装置包括:薄膜晶体管,设置在基体基底上;绝缘层,覆盖薄膜晶体管;有机发光二极管,设置在绝缘层上;总线电极;以及有机氟化物图案。有机发光二极管包括:第一电极,电连接到薄膜晶体管;有机发光层,设置在第一电极上;以及第二电极,设置在有机发光层上。总线电极设置在第二电极上。有机氟化物图案设置为与总线电极相邻。
技术领域
实施例涉及一种显示装置以及一种用于制造显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置能够自发光。因为有机发光显示装置可以具有减小的重量和厚度并且可以包括适于柔性显示装置的特性,所以有机发光显示装置的使用正在增加。
有机发光显示装置包括用于产生光的有机发光元件。例如,有机发光元件包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发光层。
有机发光元件的可以与显示表面相邻的电极可以具有用于透射光的相对小的厚度。在具有小厚度的电极用作共电极的情况下,可能发生由于因电极导致的能量损失而引起的电压降。换言之,由于电流(I)通过增加的电阻(R)而可能导致IR降。
将理解的是,本背景技术部分在一定程度上旨在为理解技术提供有用的背景。然而,本背景技术部分也可以包括想法、构思或认识,所述想法、构思或认识不是在这里所公开的主题的相应有效申请日之前被相关领域技术人员已知或领会的内容的一部分。
发明内容
实施例可以使显示装置的减少的或消除的IR降成为可能。
实施例可以提供一种用于制造显示装置的方法。
根据实施例,显示装置可以包括:薄膜晶体管,设置在基体基底上;绝缘层,覆盖薄膜晶体管;有机发光二极管,设置在绝缘层上;总线电极;以及有机氟化物图案。有机发光二极管可以包括:第一电极,电连接到薄膜晶体管;有机发光层,设置在第一电极上;以及第二电极,设置在有机发光层上。总线电极可以设置在第二电极上。有机氟化物图案可以设置为与总线电极相邻。
在实施例中,显示装置还可以包括设置在第二电极上并且与总线电极相邻的另一总线电极。有机氟化物图案可以设置在总线电极与另一总线电极之间。
在实施例中,有机氟化物图案可以与发光区域叠置,并且总线电极可以与非发光区域叠置。
在实施例中,有机氟化物图案可以包括全氟化合物。
在实施例中,有机氟化物图案的厚度可以为约至约
在实施例中,总线电极可以具有比第二电极的厚度大的厚度。
在实施例中,总线电极和第二电极可以包括选自由锂、钙、银、铝、镁、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化锌和氧化锡组成的组中的至少一种。
在实施例中,显示装置还可以包括电连接到第二电极的电力总线布线。有机发光二极管可以设置在显示区域中,并且电力总线布线可以设置在围绕显示区域的外围区域中。
在实施例中,总线电极可以延伸到外围区域中,以在外围区域中与电力总线布线叠置。
在实施例中,显示装置还可以包括像素限定层,像素限定层设置在绝缘层上并且包括与第一电极的至少一部分叠置的开口。总线电极可以设置在像素限定层上。
在实施例中,显示装置还可以包括设置在有机氟化物图案上的盖层。
在实施例中,显示装置还可以包括设置在有机氟化物图案和总线电极上的薄膜封装层。
根据实施例,显示装置可以包括发光区域、非发光区域、发光元件、总线电极和有机氟化物图案。发光元件可以包括第一电极、设置在第一电极上的发光层以及设置在发光层上的第二电极。总线电极可以设置在第二电极上并且与非发光区域叠置。有机氟化物图案可以与发光区域叠置地设置在第二电极上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的