[发明专利]电子设备的热界面层在审
| 申请号： | 202011072625.0 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112652592A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | S·D·勃兰登布格尔;D·W·齐默尔曼 | 申请（专利权）人： | 安波福技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/42 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖;蔡文清 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子设备 界面 | ||
1.一种电子设备，其包括：
支撑集成电路(IC)芯片的印刷电路板；以及
构造成从IC芯片传递热能的热界面层，
热界面层包括：
非导电的容纳框架；以及
嵌入容纳框架中的导热窗格。
2.如权利要求1所述的电子设备，其中，容纳框架包括多孔结构。
3.如权利要求2所述的电子设备，其中，多孔结构是网状物。
4.如权利要求2所述的电子设备，其中，容纳框架包括设置在多孔结构的孔中的复合材料。
5.如权利要求4所述的电子设备，其中，复合材料包括聚合物。
6.如权利要求4所述的电子设备，其中，复合材料包含非导电颗粒。
7.如权利要求6所述的电子设备，其中，非导电颗粒选自下组：氧化铝、氮化硼、氮化铝、以及它们的组合。
8.如权利要求7所述的电子设备，其中，复合材料包含低于5重量％的非导电颗粒。
9.如权利要求4所述的电子设备，其中，复合材料的软化点为40℃至70℃。
10.如权利要求1所述的电子设备，其中，导热窗格包含选自下组的导热材料：铜金属、铝金属、石墨以及它们的组合。
11.如权利要求2所述的电子设备，其中，导热窗格限定了侧边缘，容纳框架限定了界定内部开口的内侧边缘，导热窗格嵌入内部开口中，并且导热窗格的侧边缘固定至容纳框架的内侧边缘。
12.如权利要求11所述的电子设备，其中，多孔结构是网状物，容纳框架包括设置在网状物的孔中的复合材料，并且，导热窗格包含选自下组的导热材料：铜金属、铝金属、石墨以及它们的组合。
13.一种用于从集成电路芯片传递热能的热界面层，其包括：
非导电的容纳框架；以及
嵌入容纳框架中的导热窗格。
14.如权利要求13所述的热界面层，其中，容纳框架包括多孔结构和设置在多孔结构的孔中的复合材料。
15.如权利要求14所述的热界面层，其中，复合材料的软化点为40℃至70℃。
16.如权利要求13所述的热界面层，其中，导热窗格包含选自下组的导热材料：铜金属、铝金属、石墨以及它们的组合，并且导热窗格限定了侧边缘，容纳框架限定了界定内部开口的内侧边缘，导热窗格嵌入内部开口中，并且导热窗格的侧边缘固定至容纳框架的内侧边缘。
17.如权利要求14所述的热界面层，其中，多孔结构是网状物，容纳框架包括设置在网状物的孔中的复合材料。
18.一种用于制造热界面层的方法，所述方法包括：
提供容纳框架，所述容纳框架是非导电的；以及
使导热窗格嵌入容纳框架中。
19.如权利要求18所述的方法，其中，提供步骤包括：将复合材料引入多孔结构的孔中，以形成空白框架。
20.如权利要求19所述的方法，其中，提供步骤还包括：去除空白框架的内部区域，以形成具有内侧边缘的容纳框架，所述内侧边缘界定内部开口。
21.如权利要求20所述的方法，其中，嵌入步骤包括：将导热窗格安装到内部开口中。
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