[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基底材料，具有第一区、第二区、第三区和第四区；

绝缘层，形成在位于所述第一区和所述第二区的每个区中的所述半导体基底材料上；

半导体层，形成在位于所述第一区和所第二区的每个区中的所述绝缘层上；

n型的第一场效应晶体管的第一栅极电极，所述第一栅极电极经由第一栅极绝缘膜形成在位于所述第一区中的所述半导体层上；

p型的第二场效应晶体管的第二栅极电极，所述第二栅极电极经由第二栅极绝缘膜形成在位于所述第二区中的所述半导体层上；

n型的第三场效应晶体管的第三栅极电极，所述第三栅极电极经由第三栅极绝缘膜形成在位于所述第三区中的所述半导体基底材料上；和

p型的第四场效应晶体管的第四栅极电极，所述第四栅极电极经由第四栅极绝缘膜形成在位于所述第四区中的所述半导体基底材料上，

其中所述第一栅极绝缘膜是由氧化硅制成的、并且被添加铪而未添加铝的绝缘膜，

其中所述第二栅极绝缘膜是由氧化硅制成的、并且被添加铝而未添加铪的绝缘膜，

其中所述第三栅极绝缘膜是由氧化硅制成的、并且被添加铝的绝缘膜，并且

其中所述第四栅极绝缘膜是由氧化硅制成的、并且被添加铪的绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第三栅极绝缘膜和所述第四栅极绝缘膜中的每一个的厚度大于所述第一栅极绝缘膜和所述第二栅极绝缘膜中的每一个的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中位于所述第一区和所述第二区的每个区中的所述半导体层的厚度为10nm至20nm，

其中位于所述第一区和所述第二区的每个区中的所述绝缘层的厚度为10nm至20nm，

其中n型的第一阱区形成在位于所述第一区的所述半导体基底材料中，使得所述第一阱区与位于所述第一区中的所述绝缘层接触，

其中p型的第二阱区形成在位于所述第二区的所述半导体基底材料中，使得所述第二阱区与位于所述第二区中的所述绝缘层接触，

其中n型的第一接地平面区形成在所述第一阱区中，使得所述第一接地平面区与位于所述第一区中的所述绝缘层接触，

其中p型的第二接地平面区形成在所述第二阱区中，使得所述第二接地平面区与位于所述第二区中的所述绝缘层接触，

其中组成所述第一接地平面区的杂质的浓度高于组成所述第一阱区的杂质的浓度，并且

其中组成所述第二接地平面区的杂质的浓度高于组成所述第二阱区的杂质的浓度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中第一偏移间隔层形成在所述第一栅极电极的侧壁上，

其中第二偏移间隔层形成在所述第二栅极电极的侧壁上，

其中外延生长层形成在以下前表面中的每个前表面上：从所述第一栅极电极和所述第一偏移间隔层暴露的、位于所述第一区的所述半导体层的前表面，以及从所述第二栅极电极和所述第二偏移间隔层暴露的、位于所述第二区的所述半导体层的前表面，

其中所述第一栅极电极至第四栅极电极、所述第一偏差间隔层至第二偏差间隔层和所述外延生长层被层间绝缘膜覆盖，

其中接触孔形成在所述层间绝缘膜中，并且

其中所述接触孔被导电材料填充。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第三栅极绝缘膜和所述第四栅极绝缘膜中的每一个是由氧化硅制成的、并且被添加铝和铪两者的绝缘膜。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中组成所述第四栅极绝缘膜的铪原子的数目与组成所述第四栅极绝缘膜的铝原子和铪原子的总数的比率为75％或更大、且小于100％。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中组成所述第三栅极绝缘膜的铪原子的数目与组成所述第三栅极绝缘膜的铝原子和铪原子的总数的比率为75％或更大、且小于100％。