[发明专利]一种激光功率可控的小型化VCSEL激光器

权利要求书

1.一种激光功率可控的小型化VCSEL激光器，其特征在于，包括：

VCSEL器件(6)，直接裸管，或与过渡支架(15)结合，形成VCSEL组件；

光电探测器芯片(8)与控制电路芯片(7)形成集成芯片(12)，用于探测所述VCSEL器件(6)背面透射出的光，并对所述VCSEL器件(6)光的输出进行调控；

所述VCSEL组件、集成芯片混合集成组装于热沉(14)上，管帽(11)与之形成封装结构，组成一体化器件。

2.根据权利要求1所述的激光功率可控的小型化VCSEL激光器，其特征在于，所述VCSEL器件(6)可激射波长为紫外至红外，可为同面电极或异面电极，可为带衬底背面有光透射器件或无衬底背面有光透射器件。

3.根据权利要求1所述的激光功率可控的小型化VCSEL激光器，其特征在于，所述过渡支架(15)的材料包括金刚石、蓝宝石、A1N、透明玻璃。

4.一种激光功率可控的小型化VCSEL激光器，其特征在于，包括：

VCSEL器件(6)与光电探测器芯片(8)形成单片集成芯片(9)，所述光电探测器芯片(8)直接接收所述VCSEL器件(6)发射出的光，控制电路芯片(7)根据所述单片集成芯片(9)中的探测数据，调控所述VCSEL器件(6)光的输出；

所述单片集成芯片(9)与所述控制电路芯片(7)混合集成组装于管座(1)上，管帽(11)与之形成封装结构，组成一体化器件。

5.根据权利要求4所述的激光功率可控的小型化VCSEL激光器，其特征在于，所述VCSEL器件(6)可激射波长为紫外至红外，可为同面电极或异面电极，可为带衬底背面有光透射器件或无衬底背面有光透射器件。

6.一种激光功率可控的小型化VCSEL激光器，其特征在于，包括：

VCSEL器件(6)、控制电路芯片(7)、光电探测器芯片(8)分别组装于管座(1)上，管帽(11)或管壳(2)与之形成封装结构，组成一体化器件；

所述VCSEL器件(6)正面发出的光经所述管帽(11)或管壳(2)定向反射或漫散射后被光电探测器芯片(8)所接收，所述控制电路芯片(7)根据所述探测器芯片(8)的探测数据，调控所述VCSEL器件(6)光的输出。

7.根据权利要求6所述的激光功率可控的小型化VCSEL激光器，其特征在于，所述VCSEL器件(6)粘合于过渡热沉(5)上，再整体组装于管座(1)上。

8.根据权利要求6所述的激光功率可控的小型化VCSEL激光器，其特征在于，所述VCSEL器件(6)、控制电路芯片(7)、光电探测器芯片(8)与图形基底板(10)混合集成后再组装于管座(1)上。

9.根据权利要求6所述的激光功率可控的小型化VCSEL激光器，其特征在于，所述控制电路芯片(7)和光电探测器芯片(8)单片集成形成集成芯片(12)。

10.根据权利要求6所述的激光功率可控的小型化VCSEL激光器，其特征在于，所述管壳(2)材料包括硬性材料、软质材料，其内壁处理方式包括表面粗化设计、内壁图层设计；管帽(11)和管壳(2)包括角度设计、弧度设计，其出光孔的材料包括带有镀层玻璃、带有镀层透镜、光学整形元件。