[发明专利]一种DFB芯片的脊钝化方法

权利要求书

1.一种DFB芯片的脊钝化方法，其特征在于包括：

S100，在基体表面沉积光学介质膜，沉积有所述光学介质膜的基体表面上具有至少一个脊槽和至少一个脊；

S200，在所述光学介质膜表面上涂覆第一光刻胶，形成第一光刻胶层，填平所述脊槽，之后对涂覆有所述第一光刻胶的基体进行固化；

S300，在所述第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶，形成第二光刻胶层，通过光刻工艺在所述第二光刻胶层上形成贯穿第二光刻胶层的脊开孔图形，所述脊开孔图形的位置与所述脊的位置相对应；

S400，根据所述脊开孔图形，在基体上刻蚀出从上往下依次贯穿第一光刻胶层和光学介质膜层的脊开孔。

2.根据权利要求1所述的一种DFB芯片的脊钝化方法，其特征在于：所述光学介质膜为光学介质膜SiN_x。

3.根据权利要求1所述的一种DFB芯片的脊钝化方法，其特征在于：沉积有所述光学介质膜的基体表面上具有多个间隔设置的脊槽，且相邻两个脊槽之间设置有脊。

4.根据权利要求3所述的一种DFB芯片的脊钝化方法，其特征在于：所述脊槽为向下凹陷的倒梯形脊槽，所述脊为向上凸起的正梯形脊。

5.根据权利要求1所述的一种DFB芯片的脊钝化方法，其特征在于：所述第一光刻胶为光敏BCB光刻胶。

6.根据权利要求1所述的一种DFB芯片的脊钝化方法，其特征在于：所述S300中的光刻工艺包括匀胶、曝光和显影步骤。

7.根据权利要求1所述的一种DFB芯片的脊钝化方法，其特征在于，所述S400中刻蚀工艺为感应耦合等离子体ICP刻蚀工艺。

8.根据权利要求1或7所述的一种DFB芯片的脊钝化方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀工艺的流程包括：

S401，先通过干法ICP刻蚀，刻蚀第一光刻胶；

S402，再通过干法ICP刻蚀，刻蚀光学介质膜。

9.根据权利要求8所述的一种DFB芯片的脊钝化方法，其特征在于，所述S401中，反应气体包括流速为30-60sccm的六氟化硫、流速为60-80sccm的氧气及流速为50-90sccm的氦气；所述S402中，反应气体包括流速为40-60sccm的六氟化硫、流速为10-30sccm的三氟甲烷及流速为50-90sccm的氦气。

10.根据权利要求1所述的一种DFB芯片的脊钝化方法，其特征在于还包括：S500，采用去胶液去除基体上的第二光刻胶层。