[发明专利]一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统在审
申请号: | 202011074586.8 | 申请日: | 2020-10-09 |
公开(公告)号: | CN112151424A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 徐鹏 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/205 |
代理公司: | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 李斌栋;姚勇政 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 硅片 沉积 背封膜 方法 系统 | ||
1.一种用于在硅片上沉积背封膜的方法,其特征在于,包括:
针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业;
清洗所述第一托盘以清除所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜,并在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:所述第一托盘被清洗完成后,将所述第一托盘作为待沉积作业的托盘。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述清洗所述第一托盘以清除所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜,包括:
用刻蚀液对所述第一托盘进行喷淋;
用超净水对所述第一托盘进行喷淋;
对所述第一托盘进行干燥处理。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:运送所述第一托盘依次接受所述刻蚀液的喷淋、所述超净水的喷淋以及所述干燥处理。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:真空抽吸在用刻蚀液对所述第一托盘进行喷淋以及用超净水对所述第一托盘进行喷淋时产生的飘浮物和反应气。
6.一种用于在硅片上沉积背封膜的系统,其特征在于,包括:沉积模块、清洗模块和运送模块,
所述沉积模块配置成针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业,
所述清洗模块配置成清洗所述第一托盘以清除所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜,并且所述沉积模块还配置成在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业,
所述运送模块配置成所述第一托盘的沉积作业完成后将所述第一托盘从所述沉积模块运送至所述清洗模块。
7.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述运送模块还配置成所述第一托盘被清洗完成后,将所述第一托盘从所述清洗模块运送至所述沉积模块。
8.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述清洗模块包括:
刻蚀装置,配置成用刻蚀液对所述第一托盘进行喷淋;
漂净装置,配置成用超净水对所述第一托盘进行喷淋;
干燥装置,配置成对所述第一托盘进行干燥处理。
9.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述清洗模块还包括清洗运送装置,所述清洗运送装置配置成运送所述第一托盘依次接受所述刻蚀装置、所述漂净装置和所述干燥装置的处理。
10.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述清洗模块还包括真空抽吸装置,所述真空抽吸装置配置成真空抽吸所述刻蚀装置和所述漂净装置在作业过程中产生的飘浮物和反应气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造