[发明专利]基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器及交叉阵列集成结构

权利要求书

1.一种基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器，其特征在于，包括：形成有MOSFET结构(130)的1T1R底座和位于所述1T1R底座上的RRAM结构(140)，其中，所述RRAM结构(140)包括底电极(141)、钙钛矿层(142)、顶电极(143)、透光绝缘层(144)和Ga₂O₃层(145)，

所述底电极(141)位于所述1T1R底座上且与所述MOSFET结构(130)的漏极(131)电连接；

所述钙钛矿层(142)位于所述底电极(141)上；

所述顶电极(143)位于所述钙钛矿层(142)上；

所述透光绝缘层(144)位于所述钙钛矿层(142)上且与所述顶电极(143)相接触；

所述Ga₂O₃层(145)位于所述透光绝缘层(144)上。

2.如权利要求1所述的基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器，其特征在于，所述1T1R底座的宽度为0.5～2μm，长度为4～8μm。

3.如权利要求1所述的基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器，其特征在于，所述底电极(141)的宽度为7nm～1μm，长度为7nm～3μm，厚度为100nm-200nm；所述钙钛矿层(142)的宽度为7nm～1μm，长度为7nm～3μm，厚度为200nm-600nm；所述顶电极(143)的宽度为7nm～1μm，长度为7nm～1.5μm，厚度为100nm-200nm；所述透光绝缘层(144)的宽度为7nm～1μm，长度为7nm～1.5μm，厚度为100nm-200nm；所述Ga₂O₃层(145)的宽度为7nm～1μm，长度为7nm～1.5μm，厚度为100nm-200nm。

4.如权利要求1所述的基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器，其特征在于，所述透光绝缘层(144)的材料包括Al₂O₃、HfO₂、PMMA、ZrO₂、PMMA、MgF₂中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器，其特征在于，所述1T1R底座包括所述MOSFET结构(130)和第一隔离层(121)，其中，所述第一隔离层(121)覆盖在所述MOSFET结构(130)上，且所述底电极(141)位于所述第一隔离层(121)上。

6.如权利要求1所述的基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器，其特征在于，还包括第二隔离层(122)，

所述第二隔离层(122)覆盖在所述1T1R底座上和所述RRAM结构(140)上。

7.如权利要求1所述的基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器，其特征在于，所述MOSFET结构(130)包括衬底(110)、所述漏极(131)、栅极(132)和源极(133)，其中，

所述漏极(131)位于所述衬底(110)中；

所述源极(133)位于所述衬底(110)中，且与所述漏极(131)相距一定距离；

所述栅极(132)位于所述衬底(110)上，一侧覆盖所述漏极(131)的一部分，另一侧覆盖所述源极(133)的一部分。