[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202011075497.5 | 申请日: | 2016-12-01 |
公开(公告)号: | CN112038358A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 李冠锋;刘敏钻;许乃方 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 方丁一 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
本发明提供一种显示设备,包括:一第一基板;一第一绝缘层,设于第一基板上;一第一薄膜晶体管单元,设于第一基板上;一第二薄膜晶体管单元,设于第一基板上;以及一第三薄膜晶体管单元,设于第一基板上。第一薄膜晶体管单元包括:一第一半导体层,设于第一基板与第一绝缘层之间。第二薄膜晶体管单元包括:一第二半导体层,设于第一绝缘层与第一半导体层之上。第三薄膜晶体管单元包括:一第三半导体层,设于第一基板与第一绝缘层之间。此外,第二半导体层与第三半导体层通过一金属层电性连接。
本申请是分案申请,母案的申请号:201611089421.1,申请日:2016年12月1日,名称:显示设备。
技术领域
本发明关于一种显示设备,尤指一种同时包含有低温多晶硅薄膜晶体管单元及金属氧化物薄膜晶体管单元的显示设备。
背景技术
随着显示器技术不断进步,所有的显示面板均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展,故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成薄型显示器,如液晶显示面板、有机发光二极管显示面板或无机发光二极管显示面板等。其中,薄型显示器可应用的领域相当多,举凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、行动导航装置、电视等显示面板,大多数均使用该些显示面板。
虽然液晶显示设备或有机发光二极管显示设备已为市面上常见的显示设备,特别是液晶显示设备的技术更是相当成熟,但随着显示设备不断发展且消费者对显示设备的显示质量要求日趋提高,各家厂商无不极力发展出具有更高显示质量的显示设备。
显示区上的薄膜晶体管结构,可以是具有高载子移动率特性的多晶硅薄膜晶体管,或者是具有低漏电特性的金属氧化物薄膜晶体管,目前的显示器仍无法结合该两种晶体管,其是因为两者的工艺会相互影响,造成显示设备整体的工艺复杂化(例如:需更多次化学气相沉积工艺)。此外,有机发光二极管显示设备的单一像素单元中,至少包含三个以上的薄膜晶体管单元,造成发光区域变小且导致薄膜晶体管基板的工艺相对较复杂。有鉴于此,目前仍须针对薄膜晶体管基板的工艺进行改良,以期能以较简化的工艺,制作出同时具有多晶硅薄膜晶体管及金属氧化物薄膜晶体管的薄膜晶体管基板。
发明内容
本发明的主要目的在提供一种显示设备,其同时包含有低温多晶硅薄膜晶体管单元及金属氧化物薄膜晶体管单元。
于本发明的一实施方式中,提供一种显示设备,包括:一第一基板;一第一薄膜晶体管单元,设于该第一基板上;一第二薄膜晶体管单元,设于该第一基板上;一第一电容电极;一第二电容电极;以及一显示介质层,设于该第一基板上。其中,该第一薄膜晶体管包括:一第一半导体层,包含硅;以及一第一电极,与该第一半导体层电性连接。该第二薄膜晶体管包括:一第二半导体层,包含金属氧化物;以及一第二电极,与该第二半导体层电性连接。此外该第一电容电极与该第一电极电性连接;而该第二电容电极与该第二电极电性连接,且该第二电容电极与该第一电容电极重叠设置。
于前述实施方式中,借由将第一电容电极与第一电极电性连接,第二电容电极与第二电极电性连接,可简化显示设备的薄膜晶体管结构。
于本发明的另一实施方式中,提供一种显示设备,包括:一第一基板;一第二薄膜晶体管,设于该第一基板上;一第三薄膜晶体管,设于该第一基板上;以及一显示介质层,设于该第一基板上。其中,该第二薄膜晶体管包括:一第二栅极;以及一第二半导体层,该第二半导体层与该第二栅极重叠,其中第二半导体含金属氧化物。该第三薄膜晶体管包括:一第三栅极;以及一第三半导体层,该第三半导体层与该第三栅极重叠,其中第三半导体含金属氧化物。此外,该第二半导体层与该第三半导体层电性连接。
于前述实施方式中,第二半导体层及第三半导体层均含金属氧化物且彼此电性连接,而可达到简化第二及第三薄膜晶体管结构的目的。
附图说明
图1为本发明实施例1的显示设备的剖面示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的