[发明专利]一种沟槽型肖特基二极管器件

权利要求书

1.一种沟槽型肖特基二极管器件，所述器件的有源区有多个原胞并联而成，其特征在于，在一个基本原胞中，包括处于正交排列的沟槽与p+层，即所述沟槽与所述p+层的方向是垂直的；在一个原胞中，沿着垂直于纸面的纵深方向依次为结构A和结构B，其中，所述结构A为纯沟槽肖特基二极管结构，所述结构B为pn二极管结构。

2.根据权利要求1所述的沟槽型肖特基二极管器件，其特征在于，所述结构A从下到上依次为阴极、n+SiC衬底、n+缓冲层、n-漂移层、沟槽、台面、肖特基接触以及阳极。

3.根据权利要求1所述的沟槽型肖特基二极管器件，其特征在于，所述结构B从下到上依次为阴极、n+SiC衬底、n+缓冲层、n-漂移层、p+层、沟槽、台面、欧姆接触以及阳极。

4.根据权利要求1所述的沟槽型肖特基二极管器件，其特征在于，所述结构A的沟槽底部、沟槽侧壁以及台面顶部都是肖特基接触，且可以分段形成不同势垒高度的肖特基接触。

5.根据权利要求4所述的沟槽型肖特基二极管器件，其特征在于，所述结构A的台面顶部的肖特基接触的肖特基势垒为S1，沟槽侧壁的肖特基接触的肖特基势垒为S2，沟槽底部的肖特基接触的肖特基势垒为S3，S1S2S3。

6.根据权利要求4所述的沟槽型肖特基二极管器件，其特征在于，用不同掺杂类型和浓度的多晶硅形成台面和沟槽内不同势垒高度的分段肖特基接触。

7.根据权利要求1所述的沟槽型肖特基二极管器件，其特征在于，所述p+层通过所述结构B中的欧姆接触与阳极进行电连通。

8.根据权利要求1所述的沟槽型肖特基二极管器件，其特征在于，所述结构B中p+层比沟槽更深，p+层底部与沟槽底部之间的间距大于0.5微米。

9.根据权利要求1所述的沟槽型肖特基二极管器件，其特征在于，所述结构A中台面中的掺杂浓度不小于飘移层。