[发明专利]基于光导器件的可调谐超高重频微波产生装置及产生方法

权利要求书

1.基于光导器件的可调谐超高重频微波产生装置，其特征在于，包括：激光调制模块、微波提取模块；所述激光调制模块包括宽禁带光导半导体器件、超高重频激光驱动源；所述微波提取模块包括高压充电电源、微波射频传输结构和超高重频微波辐射输出组件；所述宽禁带光导半导体器件分别与所述超高重频激光驱动源、高压充电电源、微波射频传输结构连接，所述超高重频微波辐射输出组件与所述微波射频传输结构连接。

2.根据权利要求1所述的基于光导器件的可调谐超高重频微波产生装置，其特征在于，所述超高重频激光驱动源采用连续啁啾脉冲放大的激光驱动源系统，所述超高重频激光驱动源包含依次连接的高重频种子源、大展宽量脉冲展宽器、多级啁啾脉冲放大器和高功率脉冲压缩器。

3.根据权利要求1所述的基于光导器件的可调谐超高重频微波产生装置，其特征在于，所述宽禁带光导半导体器件包括衬底，在所述衬底上表面由下到上依次设有透明导电层、耐高压钝化层；所述透明导电层、耐高压钝化层上套接有金属环，所述金属环下端面与所述衬底连接，所述金属环的上端面连接有中空金属电极；所述衬底下表面设有镀银层，所述镀银层连接有实心金属电极。

4.根据权利要求3所述的基于光导器件的可调谐超高重频微波产生装置，其特征在于，所述衬底采用高电阻半导体材料，所述高电阻半导体采用厚度为0.01mm～10mm的薄片，所述薄片为方形或圆形，所述方形的边长为1mm～50mm，所述圆形直径为1mm～50mm。

5.根据权利要求4所述的基于光导器件的可调谐超高重频微波产生装置，其特征在于，所述衬底的材质为宽禁带SiC材料。

6.根据权利要求1所述的基于光导器件的可调谐超高重频微波产生装置，其特征在于，所述宽禁带光导半导体器件包括光导半导体晶片(201)、正接触电极(202)、负接触电极(203)、绝缘封装盒(204)、绝缘灌封胶(205)。

7.根据权利要求1所述的基于光导器件的可调谐超高重频微波产生装置，其特征在于，所述微波射频传输结构包括依次连接的输入端口(401)、传输段(402)、阻抗匹配段(403)、输出端口(404)。

8.根据权利要求7所述的基于光导器件的可调谐超高重频微波产生装置，其特征在于，所述微波射频传输结构为固态脉冲传输线，所述传输段(402)、阻抗匹配段(403)为固态脉冲传输线的外筒，所述输入端口(401)、宽禁带光导半导体器件、输出端口(404)共同构成传输线的内筒。

9.根据权利要求1所述的基于光导器件的可调谐超高重频微波产生装置，其特征在于，所述超高重频微波辐射输出组件是与所述微波射频传输结构阻抗匹配的平板宽带辐射喇叭，所述超高重频微波辐射输出组件将所述宽禁带光导半导体器件输出的可调谐超高重频电磁脉冲进行辐射，产生可调谐超高重频微波信号并输出。

10.基于光导器件的可调谐超高重频微波产生方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、获取超高重频激光调制信号；

S2、将高电压和所述超高重频激光调制信号输入至宽禁带光导半导体器件，获取可调谐超高重频电磁脉冲；

S3、对所述可调谐超高重频电磁脉冲进行提取；

S4、对提取出的可调谐超高重频电磁脉冲进行辐射，得到可调谐超高重频微波信号。