[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011078511.7 | 申请日: | 2020-10-10 |
公开(公告)号: | CN112786648A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 金俊洙;金永植;李廷圭;具炳贤 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;杜诚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
基础层,所述基础层包括被划分成显示图像的有源区域和与所述有源区域相邻的非有源区域;
开口,所述开口位于所述有源区域的一部分中,并且穿透所述基础层和所述基础层上的功能层;以及
切断结构,所述切断结构位于所述开口的附近,并且被设置成切断在所述有源区域的所述开口与发光单元之间的有机发光层的连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置,所述切断结构具有抑制覆盖所述切断结构的无机层被层压同时形成谷状形状的形状。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述切断结构的侧面倾斜角为65度或更小。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述切断结构具有至少两个侧面倾斜角,并且所述切断结构的下部的倾斜角小于所述切断结构的上部的倾斜角。
5.根据权利要求2所述的显示装置,还包括:
封装层,所述封装层覆盖所述有源区域,
其中,覆盖所述切断结构的无机层是包含在所述封装层中的无机层。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述切断结构位于所述有源区域的所述开口与所述发光单元之间以包围所述开口。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在所述切断结构下方的无机绝缘层从所述切断结构的外周向内地蚀刻。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述切断结构包括至少两个突出结构,并且所述至少两个突出结构中的每一个由与平坦化层相同的材料形成,所述平坦化层覆盖包括在所述有源区域的像素电路中的薄膜晶体管TFT的源电极或漏电极。
9.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
封装层,所述封装层包括顺序地层压并覆盖所述有源区域的第一无机层、有机层和第二无机层;以及
阻挡结构,所述阻挡结构被设置成阻挡所述有机层的流动,以及
其中,所述切断结构位于所述阻挡结构的一侧或两侧。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,设置有两个阻挡结构,并且所述切断结构位于所述两个阻挡结构之间。
11.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
缓冲层,所述缓冲层与所述切断结构的侧面相邻。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述切断结构包括至少两个突出结构,并且所述缓冲层位于所述至少两个突出结构之间。
13.根据权利要求11所述的显示装置,还包括:
封装层,所述封装层覆盖所述有源层,
其中,所述缓冲层与所述封装层的一部分的材料相同。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述封装层包括顺序地层压的第一无机层、有机层和第二无机层,并且所述缓冲层设置在所述第一无机层与所述第二无机层之间。
15.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述缓冲层填充所述切断结构的侧面上的谷。
16.一种显示装置,包括:
第一区域,基础层和所述基础层上的功能层从所述第一区域穿通;
第二区域,所述第二区域包围所述第一区域;以及
第三区域,所述第三区域包围所述第二区域并且设置有像素,
其中,在所述第二区域中,设置有被设置成切断有机发光层的连接的切断结构和与所述切断结构相邻的裂纹预防结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的