[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202011079026.1 | 申请日: | 2020-10-10 |
公开(公告)号: | CN113496739A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 李熙烈;郑在馥 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C16/30 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,该半导体装置包括:
第一组,所述第一组包括多个第一存储器块;
第二组,所述第二组包括多个第二存储器块;
第一公共源极线,所述第一公共源极线连接到所述第一组;
第二公共源极线,所述第二公共源极线连接到所述第二组;
源极线电压提供电路,所述源极线电压提供电路提供源极线电压;
第一开关,所述第一开关控制所述第一公共源极线与所述源极线电压提供电路之间的连接;以及
第二开关,所述第二开关控制所述第二公共源极线与所述源极线电压提供电路之间的连接,
其中,当选择所述第一组的所述多个第一存储器块中的一个第一存储器块时,所述第一开关接通并且所述第二开关断开。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,当选择所述第二组的所述多个第二存储器块中的一个第二存储器块时,所述第二开关接通并且所述第一开关断开。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一公共源极线和所述第二公共源极线彼此电隔离。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,在编程操作中,所述源极线电压提供电路提供正电压。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,在读取操作中,所述源极线电压提供电路提供接地电压或正电压。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,在擦除操作中,所述源极线电压提供电路提供擦除电压。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,当所述第二开关断开时,所述第二公共源极线被浮置。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,该半导体装置还包括:
第三组,所述第三组包括多个第三存储器块;
第三公共源极线,所述第三公共源极线连接到所述第三组;以及
第三开关,所述第三开关控制所述第三公共源极线与所述源极线电压提供电路之间的连接。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,当选择所述第一组的所述多个第一存储器块中的一个第一存储器块时,所述第一开关接通,并且所述第二开关和所述第三开关断开。
10.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,当选择所述第二组的所述多个第二存储器块中的一个第二存储器块时,所述第二开关接通,并且所述第一开关和所述第三开关断开。
11.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一组和所述第二组属于同一平面。
12.一种半导体装置,该半导体装置包括:
多个第一存储器块;
多个第二存储器块;
第一公共源极线,所述第一公共源极线共同连接到所述多个第一存储器块;
第二公共源极线,所述第二公共源极线共同连接到所述多个第二存储器块,所述第二公共源极线与所述第一公共源极线电隔离;以及
源极线电压提供电路,所述源极线电压提供电路提供源极线电压,
其中,当选择所述多个第一存储器块中的一个第一存储器块时,所述第一公共源极线电连接到所述源极线电压提供电路。
13.根据权利要求12所述的半导体装置,其中,当选择所述一个第一存储器块时,所述第二公共源极线与所述源极线电压提供电路电断开。
14.根据权利要求12所述的半导体装置,其中,当选择所述多个第二存储器块中的一个第二存储器块时,所述第二公共源极线电连接到所述源极线电压提供电路,并且所述第一公共源极线与所述源极线电压提供电路电断开。
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