[发明专利]包括重分布层的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

下部结构；

重分布绝缘层，所述重分布绝缘层设置在所述下部结构上方；

重分布导电层，所述重分布导电层设置在所述重分布绝缘层上方，并且电连接到所述下部结构的一部分，所述重分布导电层包括重分布焊盘；以及

保护层，所述保护层覆盖所述重分布绝缘层和所述重分布导电层，并且使所述重分布焊盘暴露，

其中，所述重分布导电层包括与所述重分布焊盘相邻设置的沟槽，并且

其中，所述保护层的一部分填充所述沟槽。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述重分布导电层包括焊盘部分和延伸部分，所述焊盘部分包括所述重分布焊盘，并且所述延伸部分从所述焊盘部分沿至少一个方向延伸，并且

其中，所述沟槽设置在所述延伸部分中。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述沟槽的深度与所述重分布导电层的厚度相同。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述焊盘部分和所述延伸部分彼此物理连接和电连接。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在平面图中，在垂直于所述延伸部分的延伸方向的方向上，所述沟槽的宽度小于所述延伸部分的宽度，并且所述沟槽的所有侧表面都被所述延伸部分围绕。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述焊盘部分包括第一侧边到第N侧边，其中N是自然数，

其中，所述延伸部分包括分别从所述焊盘部分的所述第一侧边到所述第N侧边中的所述第一侧边到第k侧边延伸的第一延伸部分到第k延伸部分，其中，k是大于或等于2且小于或等于N的自然数，并且

其中，所述沟槽包括分别设置在所述第一延伸部分到所述第k延伸部分中的第一沟槽至第k沟槽。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一沟槽至所述第k沟槽彼此分离。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一沟槽至所述第k沟槽中的两个或更多个相邻沟槽彼此连接，并且

其中，所述第一沟槽至所述第k沟槽中的至少一些不彼此连接。

9.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在平面图中，在垂直于所述延伸部分的延伸方向的方向上，所述沟槽被划分为两个部分，所述延伸部分的一部分插入在所述两个部分之间。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述沟槽的所述两个部分在垂直于所述延伸方向的方向上具有相同的宽度。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述焊盘部分包括第一侧边到第N侧边，其中N是自然数，

其中，所述延伸部分包括分别从所述焊盘部分的所述第一侧边和第二侧边延伸的第一延伸部分和第二延伸部分，所述焊盘部分的所述第一侧边和所述第二侧边彼此相邻，

其中，所述沟槽包括分别形成在所述第一延伸部分和所述第二延伸部分中的第一沟槽和第二沟槽，

其中，所述第一沟槽在垂直于所述第一延伸部分的延伸方向的方向上被划分为两个部分，所述第一延伸部分的一部分插入在所述两个部分之间，并且

其中，所述第二沟槽在垂直于所述第二延伸部分的延伸方向的方向上被划分为两个部分，所述第二延伸部分的一部分插入在所述两个部分之间。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一沟槽的所述两个部分中的与所述焊盘部分的所述第二侧边相邻的一个与所述第二沟槽的所述两个部分中的与所述焊盘部分的所述第一侧边相邻的一个彼此连接。