[发明专利]一种判断管式PECVD炉管内漏和外漏的方法在审
申请号: | 202011081416.2 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN112323047A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 张云鹏;王玉;赵科巍;郭鹏;杨飞飞;秦鹏 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/52 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 判断 pecvd 炉管 方法 | ||
本发明涉及太阳能电池生产领域。一种判断管式PECVD炉管内漏和外漏的方法,本发明通过关闭部分阀门对PECVD炉管1进行保压测试,判断PECVD炉管是否存在泄漏,以及在存在泄漏时,存在内部泄漏还是外部泄漏,以及具体在哪个位置存在泄漏。本发明可以简单准确的判断管式PECVD炉管真空失败的内漏方法,缩短了异常处理的时间,确保了车间的正常生产,提高了备品备件的使用寿命,节约了车间的备件成本。
技术领域
本发明涉及太阳能电池生产领域。
背景技术
光伏太阳能管式PECVD(等离子体增强化学气相沉积)工艺是在真空,低压的环境下(1800mTorr左右)进行的。如果满足不了此条件,工艺将无法运行。因此,炉管的密封性非常的重要。在生产过程中,经常会出现炉管密封不好,真空失败的报警,导致设备无法正常运行。引起真空失败的原因有很多种,包括有内漏和外漏。内漏是整个真空系统内部有漏点,外漏是外界与真空系统之间有漏点。判断和解决炉管真空失败的内漏点和外漏点,一般耗时较长,会影响车间的正常生产。如排查不当,会影响备品备件的使用寿命,增加车间的备件成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:如何判断PECVD炉管是否存在泄漏,以及在存在泄漏时,存在内部泄漏还是外部泄漏,以及具体在哪个位置存在泄漏。
本发明所采用的技术方案是:一种判断管式PECVD炉管内漏和外漏的方法, PECVD炉管1通过主阀2连接真空泵3,笑气顺序通过第一气动阀8、第一质量流量计9、第一截止阀18连接PECVD炉管1,氨气顺序通过第二气动阀7、第二质量流量计10、第二截止阀17连接PECVD炉管1,硅烷顺序通过第三气动阀6、第三质量流量计11、第三截止阀16连接PECVD炉管1,氮气顺序通过第四气动阀4、第四质量流量计13、第四截止阀14连接PECVD炉管1,氮气顺序通过第四气动阀4、第五截止阀5、第三质量流量计11、第三截止阀16连接PECVD炉管1,氮气顺序通过第四气动阀4、第六截止阀12连接PECVD炉管1,真空泵3顺序通过第七截止阀15、第三截止阀16连接PECVD炉管1,判断管式PECVD炉管内漏和外漏的方法按如下步骤进行
步骤一、关闭所有气动阀、关闭第七截止阀15,开启主阀2、开启第七截止阀15外其它所有截止阀,开启真空泵将PECVD炉管1内部压力抽至底压P0;
步骤二、在步骤一的基础上,关闭主阀2、关闭真空泵3,对PECVD炉管1进行保压测试,如PECVD炉管1压力每秒上升小于2mTorr,则PECVD炉管1漏率正常,即PECVD炉管1无泄露,如PECVD炉管1压力每秒上升大于等于2mTorr,则PECVD炉管1有泄露,即存在内漏或/和外漏;
步骤三、如果存在内漏或/和外漏,在步骤二的基础上,关闭所有截止阀,开启主阀2,开启真空泵将PECVD炉管1内部压力抽至底压P0;
步骤四、在步骤三的基础上,关闭主阀2、关闭真空泵3,对PECVD炉管1进行保压测试,如PECVD炉管1压力每秒上升大于等于2mTorr,则PECVD炉管1为外漏,如PECVD炉管1压力每秒上升小于2mTorr,则PECVD炉管1为内漏;
步骤五、在步骤四的基础上,如果为外漏,则更换第一气动阀8后,安步骤二进行对PECVD炉管1进行保压测试,PECVD炉管1无泄露说明原来的第一气动阀8有问题,如果继续有PECVD炉管1有泄露;则更换第二气动阀7,安步骤二进行对PECVD炉管1进行保压测试,PECVD炉管1无泄露说明原来的第二气动阀7有问题,如果继续有PECVD炉管1有泄露,则更换第三气动阀6,安步骤二进行对PECVD炉管1进行保压测试,PECVD炉管1无泄露说明原来的第三气动阀6有问题,如果继续有PECVD炉管1有泄露,则更换第四气动阀4,安步骤二进行对PECVD炉管1进行保压测试,PECVD炉管1无泄露说明原来的第三气动阀6有问题,如果继续有PECVD炉管1有泄露说明存在管道裂缝,需要检修管道;
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的