[发明专利]一种808nm波段内置光栅泵浦源芯片

权利要求书

1.一种808nm波段内置光栅泵浦源芯片，其特征在于，芯片外延结构是在GaAs衬底上从下到上依次生长有第一外延层、第二外延层、第三外延层，且芯片的光栅结构为含有稳定波长掩埋光栅层，在生长了外延层的衬底上制作发光点或者bar结构。

2.根据权利要求1所述的一种808nm波段内置光栅泵浦源芯片，其特征在于，第一外延层和第二外延层的顶层为InGaP无铝外延层。

3.根据权利要求2所述的一种808nm波段内置光栅泵浦源芯片，其特征在于，在芯片的外延层中的有源区和波导区之间设置有隔离层，有源区材料为InGaAlAs，波导区材料为AlGaAs GRIN，隔离层材料为GaAs。

4.根据权利要求1所述的一种808nm波段内置光栅泵浦源芯片，其特征在于，含有稳定波长掩埋光栅层包括一阶或多阶的至少包括两个周期的光栅结构构成。

5.根据权利要求4所述的一种808nm波段内置光栅泵浦源芯片，其特征在于，掩埋光栅层采用离子注入、隔离膜阻挡或反向PN结阻挡的方式实现减小注入电流密度或没有电流注入。

6.根据权利要求1所述的一种808nm波段内置光栅泵浦源芯片，其特征在于，在衬底上制作单bar结构时，所述单bar结构的发光区包括多个发光点，发光点的填充率为85％～90％。

7.根据权利要求1所述的一种808nm波段内置光栅泵浦源芯片，其特征在于，在衬底上制作单bar结构时，单bar结构的前后设置有非注入区。

8.根据权利要求1所述的一种808nm波段内置光栅泵浦源芯片，其特征在于，在衬底上制作的bar结构时，bar结构的左右对称位置设置有冗余区。

9.根据权利要求6～8所述的任一一种808nm波段内置光栅泵浦源芯片，其特征在于，当bar条的发光区间隔小于30微米时，bar条之间的光电隔离沟槽≤有源层深度。

10.根据权利要求1所述的一种808nm波段内置光栅泵浦源芯片，其特征在于，衬底为倾斜结构。