[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

形成鳍状结构于基底上；

形成栅极材料层于该鳍状结构上；以及

图案化该栅极材料层以形成栅极结构以及聚合物停止层于该鳍状结构顶部及侧壁。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

进行蚀刻制作工艺图案化该栅极材料层以形成硅残留；

对该硅残留进行灰化制作工艺；以及

进行清洗制作工艺将该硅残留转换为该聚合物停止层。

3.如权利要求2所述的方法，其中该硅残留包含碳、氮以及氟。

4.如权利要求1所述的方法，其中该聚合物停止层包含碳、氧、氮、氢以及氟。

5.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成第一硬掩模于该栅极材料层上；

形成第二硬掩模于该第一硬掩模上；以及

图案化该第二硬掩模、该第一硬掩模以及该栅极材料层以形成该栅极结构以及该聚合物停止层。

6.如权利要求1所述的方法，另包含进行氧化制作工艺将该栅极结构侧壁氧化以形成第一遮盖层。

7.如权利要求6所述的方法，另包含形成该第一遮盖层于该栅极结构侧壁以及该聚合物停止层内侧侧壁。

8.如权利要求6所述的方法，另包含：

形成第二遮盖层于该第一遮盖层侧壁以及该聚合物停止层侧壁；

去除该第二遮盖层以及该第一遮盖层以形成第一间隙壁以及第二间隙壁；

形成源极/漏极区域于该第二间隙壁两侧；

形成层间介电层于该栅极结构上；以及

进行金属栅极置换制作工艺将该栅极结构转换为金属栅极。

9.如权利要求8所述的方法，另包含：

进行平坦化制作工艺去除该金属栅极以形成第一金属栅极于该鳍状结构一侧以及第二金属栅极于该鳍状结构另一侧。

10.一种半导体元件，其特征在于，包含：

鳍状结构，设于基底上；

栅极结构，设于该鳍状结构上；以及

聚合物停止层，设于该栅极结构旁的该鳍状结构顶部及侧壁。

11.如权利要求10所述的半导体元件，另包含：

第一间隙壁，设于该栅极结构侧壁；

第二间隙壁，设于该第一间隙壁侧壁，其中该聚合物停止层是设于该第一间隙壁以及该第二间隙壁之间；以及

源极/漏极区域，设于该第二间隙壁两侧。

12.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一间隙壁以及该聚合物停止层包含不同材料。

13.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第二间隙壁以及该聚合物停止层包含不同材料。

14.如权利要求10所述的半导体元件，其中该聚合物停止层包含碳、氧、氮、氢以及氟。

15.一种半导体元件，其特征在于，包含：

鳍状结构，依据上视角度沿着第一方向延伸于基底上；

第一栅极结构，沿着第二方向延伸于该鳍状结构一侧，其中该第一栅极结构紧邻该鳍状结构的第一角落包含第一聚合物停止层；以及

第二栅极结构，沿着第二方向延伸于该鳍状结构另一侧。

16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该第一栅极结构紧邻该鳍状结构的第二角落包含第二聚合物停止层。

17.如权利要求15所述的半导体元件，其中该第二栅极结构紧邻该鳍状结构的第三角落包含第三聚合物停止层。