[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

栅极结构，设于基底上；

偏位间隙壁，设于该栅极结构旁；

主侧壁，环绕该偏位间隙壁，其中该偏位间隙壁的介电常数大于该主间隙壁的介电常数；以及

源极/漏极区域，设于该主间隙壁两侧。

2.如权利要求1所述的半导体元件，另包含：

接触洞蚀刻停止层，设于该主间隙壁旁；以及

层间介电层，环绕该接触洞蚀刻停止层。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该接触洞蚀刻停止层的氧浓度不同于该层间介电层的氧浓度。

4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该层间介电层的氧浓度高于该接触洞蚀刻停止层的氧浓度。

5.如权利要求2所述的半导体元件，其中该接触洞蚀刻停止层表面的氧浓度高于该接触洞蚀刻停止层内的氧浓度。

6.如权利要求2所述的半导体元件，其中该接触洞蚀刻停止层以及该层间介电层包含相同介电常数。

7.如权利要求2所述的半导体元件，其中该主侧壁、该接触洞蚀刻停止层以及该层间介电层包含相同介电常数。