[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种器件包括彼此耦合的主锁存器、从锁存器和保持锁存器。保持锁存器包括第一有源区域和第二有源区域、第一栅极结构和第二栅极结构。第一有源区域和第二有源区域在第一方向上延伸。第一栅极结构在第二方向上延伸，第一栅极结构包括彼此分离的第一部分和第二部分。第一部分布置在第一有源区域之上，并且第二部分布置在第二有源区域之上。第二栅极结构在第二方向上延伸，并布置在第一有源区域之上。在布局图中，第二栅极结构与第二有源区域和第一栅极结构分离。第二有源区域的端部部分在第一栅极结构和第二栅极结构之间。

技术领域

本公开总体涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

电子器件有时包括一个或多个在不使用时断电以节省能量并延长电池寿命的部分。为了提供连续性，数据位通常在断电事件之前被保存，然后一旦断电部分再次加电，则被恢复到它们先前的电路位置。通常使用锁存电路(latch circuits)来保存数据位。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：主锁存器；从锁存器，耦合至所述主锁存器；以及保持锁存器，耦合至所述主锁存器和所述从锁存器，并且包括：第一有源区域，在第一方向上延伸；第二有源区域，在所述第一方向上延伸；第一栅极结构，在与所述第一方向不同的第二方向上延伸，所述第一栅极结构包括彼此分离的第一部分和第二部分，其中，所述第一部分布置在所述第一有源区域之上，并且所述第二部分布置在所述第二有源区域之上；以及第二栅极结构，在所述第二方向上延伸，并且布置在所述第一有源区域之上，其中，在布局图中，所述第二栅极结构与所述第二有源区域和所述第一栅极结构分离，其中，所述第二有源区域的端部部分在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间。

根据本公开的另一实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：基于存储器器件的电子架构设计，生成触发器器件的布局，其中，所述触发器器件包括彼此耦合的主锁存器、从锁存器和保持锁存器；以及基于所述布局制造所述触发器器件；其中，生成所述触发器器件的布局包括：布置彼此分离的第一有源区域和第二有源区域；跨所述第一有源区域和所述第二有源区域布置多个第一栅极；布置第二栅极，在布局图中，所述第二栅极跨所述第一有源区域并且与所述第二有源区域分离；以及将第一个所述第一栅极切割为第一栅极部分和第二栅极部分，其中，所述第一栅极部分布置在所述第一有源区域之上，并且所述第二栅极部分布置在所述第二有源区域之上。

根据本公开的又一实施例，提供了一种半导体器件，包括：主锁存器；从锁存器，耦合至所述主锁存器；以及保持锁存器，耦合至所述主锁存器和所述从锁存器，并且包括：第一有源区域至第四有源区域，在第一方向上延伸并且彼此分离；以及第一栅极结构至第四栅极结构，在与所述第一方向不同的第二方向上延伸，其中，所述第一栅极结构包括第一栅极部分至第四栅极部分，所述第一栅极部分至所述第四栅极部分彼此分离，并且分别布置在所述第一有源区域至所述第四有源区域之上，其中，在布局图中，所述第二栅极结构布置在所述第一有源区域和所述第四有源区域之上，与所述第二有源区域和所述第三有源区域分离，其中，所述第三栅极结构包括彼此分离的第五栅极部分和第六栅极部分，其中，所述第五栅极部分布置在所述第一有源区域和所述第二有源区域之上，并且所述第六栅极部分布置在所述第三有源区域和所述第四有源区域之上，其中，所述第四栅极结构布置在所述第三有源区域和所述第四有源区域之上。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本公开的各方面。注意，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可以任意增大或减小。

图1是根据本公开的一些实施例的器件的示意图。

图2是根据本公开的一些实施例的图1的电路110的示意图。

图3是根据本公开的一些实施例的图2的电路110的电路图。

图4是根据本公开的一些实施例的集成电路的示意性布局400，包括与图3的保持锁存器112内的锁存单元310相对应的结构。