[发明专利]半导体装置以及用于产生其布局图的方法及系统

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

晶体管层，包括：

至少一个晶体管的组件；

波导，具有在第一方向上延伸的长轴，且与所述至少一个晶体管组件并排设置；以及

第一内连层，在所述波导与所述至少一个晶体管组件之上；

由金属化层与一或多个第二内连层形成的堆叠，在所述晶体管层的所述第一内连层之上，所述一个或多个第二内连层夹置在所述金属化层中对应的成对的相邻金属化层之间；以及

加热器，在所述第一内连层中或者在所述一个或多个第二内连层之一中；且

其中相对于与所述第一方向实质上垂直的第二方向而言，所述加热器与所述波导的至少一部分实质上交叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述波导是肋形波导。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中：

相对于与所述第一方向及所述第二方向中的每一者实质上垂直的第三方向而言，所述肋形波导包括：

平板部分：以及

肋形部分，堆叠在所述平板部分上；

相对于所述第二方向而言，所述肋形部分具有第一宽度；

相对于所述第二方向而言，所述平板部分的端部部分不与所述肋形部分交叠，且具有第二宽度；且

所述第一宽度相对于所述第二宽度的比率在0.185至0.25的范围内。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：

相对于所述第二方向而言，所述平板部分具有第三宽度；

所述第一宽度相对于所述第三宽度的比率在0.083至0.111的范围内。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：

相对于所述肋形部分在所述第二方向上的所述第一宽度而言，且相对于所述肋形部分在所述第三方向上的高度而言，所述肋形部分具有实质上正方形形状。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：

相对于所述第二方向而言，所述加热器的第四宽度与所述平板部分的所述第二宽度实质上相同。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述由金属化层与所述一或多个第二内连层形成的堆叠进一步包括：

第一金属化层，在所述晶体包括管层之上；以及

第二金属化层，在所述第一金属化层之上；且

所述一个或多个第二内连层包括在所述第一金属化层与所述第二金属化层之间的一者；且

所述加热器在所述第一内连层或所述一个或多个第二内连层的所述一者中。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中：

所述加热器在所述一个或多个第二内连层的所述一者中。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

相对于所述第一方向及所述第二方向而言，所述加热器具有实质上正方形形状。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中：

相对于与所述第一方向及所述第二方向中的每一者实质上垂直的第三方向而言，所述波导包括：

平板部分：以及

肋形部分，堆叠在所述平板部分上；

相对于所述第二方向而言，所述肋形部分具有第一宽度；

相对于所述第二方向而言，所述加热器具有第四宽度；且

所述第一宽度相对于所述第四宽度的比率在0.083至0.25的范围内。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述加热器包含：

TaN、TiN或者包含TaN及TiN的组合。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

相对于所述第一方向及所述第二方向而言，所述波导包括具有第一形状的第一部分，且所述加热器具有与所述第一形状相似的第二形状；且

所述第二形状的大小被设定成与所述第一部分的至少80％交叠。