[发明专利]电子传输材料及制备方法、光电器件及其制备方法

权利要求书

1.一种电子传输材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将钛源、稀土金属源和硫源溶解后，进行水热反应，得到掺杂有稀土金属的TiS₂纳米材料；

在氢气气氛下，对所述掺杂有稀土金属的TiS₂纳米材料进行加热反应，得到掺杂有稀土金属和氢原子的TiS₂电子传输材料。

2.如权利要求1所述的电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述钛源与所述稀土金属源的摩尔比为1：(0.1～0.3)；

和/或，所述钛源和所述稀土金属源的总摩尔量与所述硫源的摩尔量之比为1：(2～2.5)。

3.如权利要求1～2任一所述的电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述氢气气氛包括体积比为(5～10)：(90～95)的氢气和惰性气体；

和/或，所述加热反应的条件包括：在所述氢气气氛的流速为40～100ml/min，温度为250℃～350℃的条件下反应1～2小时。

4.如权利要求3所述的电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述稀土金属源包括：铈源、铽源、镨源、镝源中的至少一种；

和/或，所述钛源包括：醋酸钛、硝酸钛、氯化钛、硫酸钛中的至少一种；

和/或，所述硫源包括：硫化钠、硫化钾、硫脲、硫化胺中的至少一种；

和/或，所述惰性气体包括：氩气和/或氦气。

5.如权利要求4所述的电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述铈源包括：醋酸铈、硝酸铈、氯化铈、硫酸铈中的至少一种；

和/或，所述铽源包括：硝酸铽、氯化铽、硫酸铽中的至少一种；

和/或，所述镨源包括：硝酸镨、氯化镨、硫酸镨中的至少一种；

和/或，所述镝源包括：硝酸镝、氯化镝、硫酸镝中的至少一种。

6.如权利要求1～2、4或5任一所述的电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述水热反应的条件包括：在温度为200℃～250℃的条件下反应20～24小时。

7.一种电子传输材料，其特征在于，所述电子传输材料包括TiS₂纳米材料，在所述TiS₂纳米材料中掺杂有稀土金属和氢原子。

8.如权利要求7所述的电子传输材料，其特征在于，所述电子传输材料中，稀土元素与钛元素的摩尔比为(0.1～0.3)：1；

和/或，所述电子传输材料中，TiS₂中5％～20％的S原子被氢原子取代。

9.如权利要求7所述的电子传输材料，其特征在于，所述稀土金属包括：铈、铽、镨、镝中的至少一种；

和/或，所述电子传输材料的粒径为5纳米～15纳米。

10.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括电子传输层，所述电子传输层包含如权利要求1～6任一所述方法制备的电子传输材料，或者包含如权利要求7～9任一所述的电子传输材料。

11.一种光电器件的制备方法，其特征在于，其中电子传输层的制备包括步骤：

按如权利要求1～6任一所述的方法制备电子传输材料；

将所述电子传输材料沉积在发光层和/或阴极表面，得到电子传输层。