[发明专利]可偏置混频肖特基二极管结构及半导体器件

权利要求书

1.可偏置混频肖特基二极管结构，其特征在于，包括：第一金属电极、和第二金属电极，所述第二金属电极分隔为上分电极和下分电极，第一肖特基结连接在所述第一金属电极和所述上分电极之间，第二肖特基结反向并联在所述第一金属电极和所述下分电极之间；

采用两个肖特基结反向并联的形式，肖特基结一端与同一个金属电极连接，另一端连接两个不相连的金属电极，对二极管进行偏置，降低混频器对本振功率的需求，降低本振源的难度；可直接采用较高频率的倍频器作为本振源，降低了谐波次数，降低了变频损耗，有效提高混频器的性能。

2.如权利要求1所述的可偏置混频肖特基二极管结构，其特征在于，所述肖特基结包括衬底，所述衬底的上表面设有重掺杂GaAs层和钝化层，所述钝化层将所述重掺杂GaAs层分隔开，在所述钝化层上方形成隔离区，所述重掺杂GaAs层分隔后相对的两面为斜面，且两个斜面之间的距离从下至上逐渐增大；

所述重掺杂GaAs层靠近所述钝化层一侧的上表面均设有低掺杂GaAs层，所述低掺杂GaAs层的上表面均设有二氧化硅层，其中一个所述低掺杂GaAs层上还设有肖特基接触金属层，所述二氧化硅层围绕在所述肖特基接触金属层的四周；

所述重掺杂GaAs层远离所述钝化层一侧的上表面均设有欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层的上表面均设有金属加厚层；所述肖特基接触金属层与对面的所述金属加厚层通过空气桥连接。

3.如权利要求2所述的可偏置混频肖特基二极管结构，其特征在于，所述肖特基接触金属层为多层金属结构，自下至上依次为Ti金属层、Pt金属层和Au金属层。

4.如权利要求2所述的可偏置混频肖特基二极管结构，其特征在于，所述欧姆接触金属层为多层金属结构，自下至上依次为Ni金属层、Au金属层、Ge 金属层、Ni金属层和Au金属层。

5.如权利要求2所述的可偏置混频肖特基二极管结构，其特征在于，所述钝化层为氮化硅。

6.如权利要求2所述的可偏置混频肖特基二极管结构，其特征在于，所述金属加厚层为Au金属。

7.如权利要求2所述的可偏置混频肖特基二极管结构，其特征在于，所述重掺杂GaAs层，掺杂浓度为1e 18cm^-3量级。

8.如权利要求2所述的可偏置混频肖特基二极管结构，其特征在于，所述低掺杂GaAs层，掺杂浓度为1e16 cm^-3-5e17 cm^-3。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的可偏置混频肖特基二极管结构。