[发明专利]大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构

权利要求书

1.大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，其特征在于，包括：多个串联单元，所述串联单元的数量为偶数，每个所述串联单元包括多个同向串联的肖特基结；多个所述串联单元反向并联；

所述串联单元的数量为四个及以上，每个串联单元中同向串联的肖特基结的数量为四个及以上；采用多个同向串联肖特基结进行反向并联的形式，通过增加肖特基结个数，二极管以阻性方式工作，带宽宽，使得倍频器可以承受更大的输入功率，从而得到更大的输出功率。

2.如权利要求1所述的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，其特征在于，当串联单元的数量为四个及以上时，同向的串联单元的数量与反向的串联单元的数量相同。

3.如权利要求2所述的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，其特征在于，同向的所述串联单元相邻设置，反向的所述串联单元相邻设置。

4.如权利要求2所述的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，其特征在于，同向的所述串联单元与反向的所述串联单元交替设置。

5.如权利要求1所述的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，其特征在于，当所述串联单元的数量为四个及以上时，同向的所述串联单元的数量与反向的所述串联单元的数量不相同。

6.如权利要求1所述的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，其特征在于，所述肖特基结包括衬底，所述衬底的上表面设有重掺杂GaAs层和钝化层，所述钝化层将所述重掺杂GaAs层分隔开，在所述钝化层上方形成隔离区，所述重掺杂GaAs层分隔后相对的两面为斜面，且两个斜面之间的距离从下至上逐渐增大；

所述重掺杂GaAs层靠近所述钝化层一侧的上表面均设有低掺杂GaAs层，所述低掺杂GaAs层的上表面均设有二氧化硅层，其中一个所述低掺杂GaAs层上还设有肖特基接触金属层，所述二氧化硅层围绕在所述肖特基接触金属层的四周；

所述重掺杂GaAs层远离所述钝化层一侧的上表面均设有欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层的上表面均设有金属加厚层；所述肖特基接触金属层与对面的所述金属加厚层通过空气桥连接。

7.如权利要求6所述的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，其特征在于，所述肖特基接触金属层为多层金属结构，自下至上依次为Ti金属层、Pt金属层和Au金属层。

8.如权利要求6所述的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，其特征在于，所述欧姆接触金属层为多层金属结构，自下至上依次为Ni金属层、Au金属层、Ge金属层、Ni金属层和Au金属层。

9.如权利要求6所述的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，其特征在于，所述重掺杂GaAs层，掺杂浓度为10^18cm^-3量级。

10.如权利要求6所述的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，其特征在于，所述低掺杂GaAs层，掺杂浓度为1e16 cm^-3-5e17 cm^-3。